Выпуски

 / 

2010

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Спинтроника (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 3 февраля 2010 г.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 75.76.+j, 76.30.−v, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
Цитата: Аверкиев Н С "Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках" УФН 180 777–780 (2010)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках
%A Н. С. Аверкиев
%I Успехи физических наук
%D 2010
%J Усп. физ. наук
%V 180
%N 7
%P 777-780
%U https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0180.201007j.0777

English citation: Averkiev N S “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductorsPhys. Usp. 53 742–745 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение