Выпуски

 / 

2010

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Спинтроника (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 3 февраля 2010 г.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 75.76.+j, 76.30.−v, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
Цитата: Аверкиев Н С "Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках" УФН 180 777–780 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Averkiev:2010,
	author = {Н. С. Аверкиев},
	title = {Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2010},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {180},
	number = {7},
	pages = {777-780},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/},
	doi = {10.3367/UFNr.0180.201007j.0777}
}

English citation: Averkiev N S “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductorsPhys. Usp. 53 742–745 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение