Выпуски

 / 

2010

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Спинтроника (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 3 февраля 2010 г.).

Текст pdf (409 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777
PACS: 75.76.+j, 76.30.−v, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
000282808100008
2-s2.0-77958598899
2010PhyU...53..742A
Цитата: Аверкиев Н С "Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках" УФН 180 777–780 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Averkiev N S “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductorsPhys. Usp. 53 742–745 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение