Выпуски

 / 

2010

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Спинтроника (Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук, 3 февраля 2010 г.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 75.76.+j, 76.30.−v, 85.75.−d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
Цитата: Аверкиев Н С "Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках" УФН 180 777–780 (2010)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Анизотропия спиновой релаксации в двумерных полупроводниках
AU Аверкиев Н С
FAU Аверкиев НС
DP 10 Jul, 2010
TA Усп. физ. наук
VI 180
IP 7
PG 777-780
RX 10.3367/UFNr.0180.201007j.0777
URL https://ufn.ru/ru/articles/2010/7/j/
SO Усп. физ. наук 2010 Jul 10;180(7):777-780

English citation: Averkiev N S “Spin relaxation anisotropy in two-dimensional semiconductorsPhys. Usp. 53 742–745 (2010); DOI: 10.3367/UFNe.0180.201007j.0777

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение