Выпуски

 / 

2007

 / 

Июль

  

Конференции и симпозиумы


Работы по созданию источников коротковолнового излучения для нового поколения литографии

 а,  б,  в
а Институт спектроскопии РАН, ул. Физическая 5, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация
б ASML Netherlands B.V., De Run 6501, Veldhoven, 5504, The Netherlands
в Институт физики микроструктур РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603950, Российская Федерация

31 января 2007 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук. На сессии были заслушаны доклады:
1. Кошелев К.Н. (Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Московская обл.), Банин В.Е. (ASML, Veldhoven, Нидерланды), Салащенко Н.Н. (Институт физики микроструктур РАН, Нижний Новгород). Работы по созданию источников коротковолнового излучения для нового поколения литографии.
2. Балыкин В.И. (Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Московская обл.). Атомно-проекционная параллельная фабрикация наноструктур.
3. Лозовик Ю.Е., Попов А.М. (Институт спектроскопии РАН, г. Троицк, Московская обл.). Свойства и нанотехнологические применения нанотрубок
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.72.−g, 42.82.Cr (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0177.200707h.0777
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2007/7/h/
Цитата: Кошелев К Н, Банин В Е, Салащенко Н Н "Работы по созданию источников коротковолнового излучения для нового поколения литографии" УФН 177 777 (2007)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Koshelev K N, Banine V E, Salashchenko N N “Research and development in short-wave radiation sources for new-generation lithographyPhys. Usp. 50 741–744 (2007); DOI: 10.1070/PU2007v050n07ABEH006321

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение