Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe

Е.Б. Ольшанецкий^а, В. Ренар^б, З.Д. Квон^а, И.В. Горный^в, А.И. Торопов^а, Ж.К. Портал^б
^аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
^бHigh Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France
^вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В. (Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст pdf (259 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005923

PACS: 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
Web of Science

000238659100007
Scopus

2-s2.0-33745651822
ADS NASA

2006PhyU...49..211O
Цитата: Ольшанецкий Е Б, Ренар В, Квон З Д, Горный И В, Торопов А И, Портал Ж К "Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe" УФН 176 222–227 (2006)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctions
A1 Olshanetskii,E.B.
A1 Renard,V.
A1 Kvon,Z.D.
A1 Gornyi,I.V.
A1 Toropov,A.I.
A1 Portal,J.C.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2006
FD 10 Feb, 2006
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 176
IS 2
SP 222-227
DO 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
LK https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/

English citation: Olshanetskii E B, Renard V, Kvon Z D, Gornyi I V, Toropov A I, Portal J C “Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctions” Phys. Usp. 49 211–216 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005923