Выпуски

 / 

2006

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe

 а,  б,  а,  в,  а,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б High Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France
в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В. (Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
Цитата: Ольшанецкий Е Б, Ренар В, Квон З Д, Горный И В, Торопов А И, Портал Ж К "Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe" УФН 176 222–227 (2006)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks
Русский English
PT Journal Article
TI Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe
AU Ольшанецкий Е Б
FAU Ольшанецкий ЕБ
AU Ренар В
FAU Ренар В
AU Квон З Д
FAU Квон ЗД
AU Горный И В
FAU Горный ИВ
AU Торопов А И
FAU Торопов АИ
AU Портал Ж К
FAU Портал ЖК
DP 10 Feb, 2006
TA Усп. физ. наук
VI 176
IP 2
PG 222-227
RX 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
URL https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
SO Усп. физ. наук 2006 Feb 10;176(2):222-227

English citation: Olshanetskii E B, Renard V, Kvon Z D, Gornyi I V, Toropov A I, Portal J C “Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctionsPhys. Usp. 49 211–216 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005923

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение