Выпуски

 / 

2006

 / 

Февраль

  

Конференции и симпозиумы


Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe

 а,  б,  а,  в,  а,  б
а Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация
б High Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France
в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная научная сессия Отделения физических наук Российской академии наук и Объединенного физического общества Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В. (Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.

Текст pdf (259 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005923
PACS: 01.10.Fv, 71.27.+a, 71.30.+h, 72.15.Rn (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0176.200602g.0222
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
000238659100007
2-s2.0-33745651822
2006PhyU...49..211O
Цитата: Ольшанецкий Е Б, Ренар В, Квон З Д, Горный И В, Торопов А И, Портал Ж К "Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe" УФН 176 222–227 (2006)
BibTex BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
%0 Journal Article
%T Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe
%A Е. Б. Ольшанецкий
%A В. Ренар
%A З. Д. Квон
%A И. В. Горный
%A А. И. Торопов
%A Ж. К. Портал
%I Успехи физических наук
%D 2006
%J Усп. физ. наук
%V 176
%N 2
%P 222-227
%U https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602g.0222

English citation: Olshanetskii E B, Renard V, Kvon Z D, Gornyi I V, Toropov A I, Portal J C “Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctionsPhys. Usp. 49 211–216 (2006); DOI: 10.1070/PU2006v049n02ABEH005923

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение