Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe
Е.Б. Ольшанецкийа,
В. Ренарб,
З.Д. Квона,
И.В. Горныйв,
А.И. Торопова,
Ж.К. Порталб аИнститут физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация бHigh Magnetic Fields Laboratory, Grenoble, France вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
26 октября 2005 г. в конференц-зале Физического института им. П.Н. Лебедева РАН состоялась Объединенная
научная сессия Отделения физических наук Российской
академии наук и Объединенного физического общества
Российской Федерации «Сильнокоррелированные электроны в двумерных системах». На сессии были заслушаны
доклады:
1. Пудалов В.М. (Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН). Переход металл-изолятор в двумерной
сильнокоррелированной системе электронов и сопутствующие явления.
2. Иорданский С.В., Кашуба А. (Институт теоретической физики им. Л.Д. Ландау РАН). Мультикомпонентный двумерный электронный газ как модель для кремниевых гетероструктур.
3. Ольшанецкий Е.Б. (Институт физики полупроводников (ИФП СО РАН, Новосибирск), Ренар В.
(Renard V.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция), Квон З.Д. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Горный И.В. (Institut fur Nanotechnologie, Karlsruhe, Германиия, Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург), Торопов А.И. (ИФП СО РАН, Новосибирск), Портал Ж.К. (Portal J.C.) (GHML, MPI-FKF/CNRS, Grenoble, Франция). Эффекты взаимодействия в транспорте и магнитотранспорте двумерных электронов в гетеропереходах AlGaAs/GaAs и Si/SiGe.
Публикуется краткое содержание докладов.
TY JOUR
TI Interaction effects in the transport and magnetotransport of two-dimensional electrons in AlGaAs/GaAs and Si/SiGe heterojunctions
AU Olshanetskii, E. B.
AU Renard, V.
AU Kvon, Z. D.
AU Gornyi, I. V.
AU Toropov, A. I.
AU Portal, J. C.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 2006
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 176
IS 2
SP 222-227
UR https://ufn.ru/ru/articles/2006/2/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0176.200602g.0222