RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 11, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2005

 / 

Июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

 а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А см-2 и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А см-2 и 1010 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст pdf (373 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471
PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
000233309400003
2005PhyU...48..703G
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

Список литературы (28) Статьи, ссылающиеся на эту (72) ↓ Похожие статьи (19)

  1. Bancheri Ju, Currell A et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1069 169935 (2024)
  2. Guo J, Chen Ya et al Electronics 13 2152 (2024)
  3. Gusev A I, Lavrinovich I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 2858 (2023)
  4. Graves D Z, Bilbao A V et al 2023 IEEE Pulsed Power Conference (PPC), (2023) p. 1
  5. Huiskamp T, van Heesch E J M, Pemen A J M Pulsed Discharge Plasmas Springer Series in Plasma Science and Technology Chapter 1 (2023) p. 3
  6. Garnov S V, Selemir V D et al Dokl. Phys. 68 67 (2023)
  7. Kesar A S, Wolf M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 1133 (2023)
  8. Huang X, Liang L Lecture Notes in Electrical Engineering Vol. Conference Proceedings of 2021 International Joint Conference on Energy, Electrical and Power EngineeringA DSRD-Based Trigger Circuit for RBDT899 Chapter 2 (2022) p. 11
  9. Yuan Q, Deng Z et al 93 (5) (2022)
  10. Bukin V V, Dolmatov T V et al Tech. Phys. Lett. 48 283 (2022)
  11. Yang Z, Liang L, Yan X IEEE Trans. Plasma Sci. 50 1276 (2022)
  12. Degnon M R, Gusev A I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 3384 (2022)
  13. Jiang S, Wang Z et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 374 (2022)
  14. Lyublinsky A G, Kardo-Sysoev A F et al IEEE Trans. Power Electron. 37 6271 (2022)
  15. Bobreshov A M, Zhabin A S et al IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 31 204 (2021)
  16. Fang X, Song H et al 92 (8) (2021)
  17. Grover H S, Dawson F IEEE Trans. Plasma Sci. 49 3907 (2021)
  18. Rozhkov A V Instrum Exp Tech 64 680 (2021)
  19. Wang Gan-ping, Li F et al 2020 IEEE International Conference on High Voltage Engineering and Application (ICHVE), (2020) p. 1
  20. Huiskamp T Plasma Sources Sci. Technol. 29 023002 (2020)
  21. Azizi M, van Oorschot J J, Huiskamp T IEEE Trans. Plasma Sci. 48 4262 (2020)
  22. Yang J, Xie Ya et al IEEE Lett. on Electromagn. Compat. Pract. and Appl. 2 142 (2020)
  23. Korotkov S V, Aristov Yu V, Zhmodikov A L Instrum Exp Tech 63 53 (2020)
  24. Kladukhin V, Kladukhin S, Khramtsov S 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE), (2020) p. 286
  25. Korotkov S V, Smorodinov V V et al IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 643 012081 (2019)
  26. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Semiconductors 53 524 (2019)
  27. Kyuregyan A S Semiconductors 53 962 (2019)
  28. Lebedev A A, Ivanov P A et al Phys.-Usp. 62 754 (2019)
  29. Kyuregyan A S Semiconductors 53 969 (2019)
  30. Kyuregyan A S Semiconductors 52 341 (2018)
  31. Samizadeh N M, Hashemi S M-A, Farzaneh F IEEE Trans. Plasma Sci. 46 427 (2018)
  32. Smirnov A A, Shevchenko S A J. Phys.: Conf. Ser. 993 012033 (2018)
  33. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Tech. Phys. Lett. 44 87 (2018)
  34. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 63 86 (2018)
  35. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Tech. Phys. Lett. 44 1241 (2018)
  36. Poklonski N A, Vyrko S A, Dzeraviaha A N Semiconductors 52 692 (2018)
  37. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 51 364001 (2018)
  38. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2017 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), (2017) p. 291
  39. Afanasyev A V, Ivanov B V et al J. Phys.: Conf. Ser. 741 012175 (2016)
  40. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2016 57th International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), (2016) p. 1
  41. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 44 2424 (2016)
  42. Grekhov I V, Rozhkov A V Instrum Exp Tech 59 82 (2016)
  43. Sharabani Ya, Shafir I et al IEEE Electron Device Lett. 37 1041 (2016)
  44. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. Lett. 42 451 (2016)
  45. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 49 245202 (2016)
  46. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 61 240 (2016)
  47. Gusev A I, Pedos M S et al 86 (11) (2015)
  48. Sharabani Y, Rosenwaks Y, Eger D Phys. Rev. Applied 4 (1) (2015)
  49. Grekhov I V, Lyublinskii A G, Smirnova I A Tech. Phys. 60 1677 (2015)
  50. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 60 897 (2015)
  51. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Semiconductors 49 1511 (2015)
  52. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. 60 1464 (2015)
  53. Korotkov S V, Voronkov V B, Aristov Yu V Instrum Exp Tech 58 488 (2015)
  54. Bokhan P A, Gugin P P et al 22 (6) (2015)
  55. Driessen A B J M, van Heesch E J M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 42 3083 (2014)
  56. Wang G, Su J et al 84 (12) (2013)
  57. Lyublinsky A G, Korotkov S V et al IEEE Trans. Plasma Sci. 41 2625 (2013)
  58. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 47 670 (2013)
  59. Bokhan P A, Gugin P P et al 20 (3) (2013)
  60. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 46 519 (2012)
  61. Ivanov P A, Grekhov I V Semiconductors 46 528 (2012)
  62. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 40 3100 (2012)
  63. Lyubutin S, Pedos M et al IEEE Trans. Dielect. Electr. Insul. 18 1221 (2011)
  64. Vasil’ev P V, Lyubutin S K et al Instrum Exp Tech 54 54 (2011)
  65. Grekhov I V, Kostina L S, Rozhkov A V Tech. Phys. Lett. 36 926 (2010)
  66. Grekhov I V IEEE Trans. Plasma Sci. 38 1118 (2010)
  67. Gupta S, Farmer J et al J. Mater. Res. 25 444 (2010)
  68. Rukin S N, Tsyranov S N Semiconductors 43 957 (2009)
  69. Gupta S, Muralikiran M et al J. Mater. Res. 24 1498 (2009)
  70. Vasiliev P V, Lyubutin S K et al Semiconductors 43 953 (2009)
  71. Rukin S N, Tsyranov S N Tech. Phys. 54 1591 (2009)
  72. Gupta S, Dudipala A et al 104 (7) (2008)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение