RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 10, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2005

 / 

июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

 а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А см–2 и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А см–2 и 1010 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст pdf (373 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471
PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
000233309400003
2005PhyU...48..703G
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

Список литературы (28) Статьи, ссылающиеся на эту (85) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Liu Zh, Li Y et al IEEE Trans. Plasma Sci. 54 (7) 3628 (2026)
  2. Gonzalez N E, Cooper J, Lehr Ja Eng 6 (7) 144 (2025)
  3. Chapin C A, Shao Q et al IEEE Trans. Electron Devices 72 (10) 5496 (2025)
  4. Pei Ya, Boudikian D 2025 International Symposium on Electromagnetic Compatibility – EMC Europe, (2025) p. 1086
  5. Lowery S, Halterman E et al 2025 IEEE Electric Ship Technologies Symposium (ESTS), (2025) p. 199
  6. Liu Zh, Li H et al IEEE Trans. Plasma Sci. 53 (12) 3874 (2025)
  7. Shahriari E, Gusev A I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 53 (7) 1583 (2025)
  8. Guo J, Chen Ya et al Electronics 13 (11) 2152 (2024)
  9. "Investigation of Semiconductor Opening Switch for Pulsed Power Applications with Output Voltage of up to 500 kV" Pau, (2024)
  10. Lin M, Li H et al IEEE Trans. Instrum. Meas. 73 1 (2024)
  11. Graves D Z, Lehmann M et al 2024 IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference (IPMHVC), (2024) p. 1
  12. Bancheri Ju, Currell A et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1069 169935 (2024)
  13. "Fast High-Current Semiconductor Switches for Pulsed Power Applications." Pau, (2024)
  14. Kesar A S, Raizman A et al IEEE Trans. Plasma Sci. 52 (11) 5385 (2024)
  15. Garnov S V, Selemir V D et al Dokl. Phys. 68 (3) 67 (2023)
  16. Gusev A I, Lavrinovich I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 (10) 2858 (2023)
  17. Huiskamp T, van Heesch E J M, Pemen A J M Pulsed Discharge Plasmas Springer Series in Plasma Science and Technology Chapter 1 (2023) p. 3
  18. Kesar A S, Wolf M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 (4) 1133 (2023)
  19. Graves D Z, Bilbao A V et al 2023 IEEE Pulsed Power Conference (PPC), (2023) p. 1
  20. Huang X, Liang L Lecture Notes in Electrical Engineering Vol. Conference Proceedings of 2021 International Joint Conference on Energy, Electrical and Power EngineeringA DSRD-Based Trigger Circuit for RBDT899 Chapter 2 (2022) p. 11
  21. Lyublinsky A G, Kardo-Sysoev A F et al IEEE Trans. Power Electron. 37 (6) 6271 (2022)
  22. Yuan Q, Deng Z et al Review of Scientific Instruments 93 (5) (2022)
  23. Jiang S, Wang Z et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (2) 374 (2022)
  24. Degnon M R, Gusev A I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (10) 3384 (2022)
  25. Yang Z, Liang L, Yan X IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (5) 1276 (2022)
  26. Bukin V V, Dolmatov T V et al Tech. Phys. Lett. 48 (10) 283 (2022)
  27. Rozhkov A V Instrum Exp Tech 64 (5) 680 (2021)
  28. Fang X, Song H et al Review of Scientific Instruments 92 (8) (2021)
  29. Bobreshov A M, Zhabin A S et al IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 31 (2) 204 (2021)
  30. "Experimental study of plasma parameters in nanosecond surface dielectric barrier filamentary discharge" Institut polytechnique de Paris, (2021)
  31. Grover H S, Dawson F IEEE Trans. Plasma Sci. 49 (12) 3907 (2021)
  32. Kladukhin V, Kladukhin S, Khramtsov S 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE), (2020) p. 286
  33. Huiskamp T Plasma Sources Sci. Technol. 29 (2) 023002 (2020)
  34. Yang J, Xie Ya et al IEEE Lett. on Electromagn. Compat. Pract. and Appl. 2 (4) 142 (2020)
  35. Wang G-p, Li F et al 2020 IEEE International Conference on High Voltage Engineering and Application (ICHVE), (2020) p. 1
  36. Azizi M, van Oorschot J J, Huiskamp T IEEE Trans. Plasma Sci. 48 (12) 4262 (2020)
  37. Korotkov S V, Aristov Yu V, Zhmodikov A L Instrum Exp Tech 63 (1) 53 (2020)
  38. Lebedev A A, Ivanov P A et al Phys.-Usp. 62 (8) 754 (2019)
  39. Kyuregyan A S Semiconductors 53 (7) 962 (2019)
  40. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Semiconductors 53 (4) 524 (2019)
  41. Korotkov S V, Smorodinov V V et al IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 643 (1) 012081 (2019)
  42. Kyuregyan A S Semiconductors 53 (7) 969 (2019)
  43. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 63 (1) 86 (2018)
  44. Samizadeh N M, Hashemi S M-A, Farzaneh F IEEE Trans. Plasma Sci. 46 (2) 427 (2018)
  45. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Tech. Phys. Lett. 44 (12) 1241 (2018)
  46. Smirnov A A, Shevchenko S A J. Phys.: Conf. Ser. 993 012033 (2018)
  47. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (36) 364001 (2018)
  48. Poklonski N A, Vyrko S A, Dzeraviaha A N Semiconductors 52 (6) 692 (2018)
  49. Kyuregyan A S Semiconductors 52 (3) 341 (2018)
  50. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Tech. Phys. Lett. 44 (2) 87 (2018)
  51. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2017 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), (2017) p. 291
  52. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2016 57th International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), (2016) p. 1
  53. Afanasyev A V, Ivanov B V et al J. Phys.: Conf. Ser. 741 012175 (2016)
  54. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 44 (10) 2424 (2016)
  55. Sharabani Ya, Shafir I et al IEEE Electron Device Lett. 37 (8) 1041 (2016)
  56. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 61 (2) 240 (2016)
  57. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (24) 245202 (2016)
  58. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. Lett. 42 (5) 451 (2016)
  59. Grekhov I V, Rozhkov A V Instrum Exp Tech 59 (1) 82 (2016)
  60. Sharabani Y, Rosenwaks Y, Eger D Phys. Rev. Applied 4 (1) (2015)
  61. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 60 (6) 897 (2015)
  62. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Semiconductors 49 (11) 1511 (2015)
  63. Korotkov S V, Voronkov V B, Aristov Yu V Instrum Exp Tech 58 (4) 488 (2015)
  64. Gusev A I, Pedos M S et al Review of Scientific Instruments 86 (11) (2015)
  65. Grekhov I V, Lyublinskii A G, Smirnova I A Tech. Phys. 60 (11) 1677 (2015)
  66. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. 60 (10) 1464 (2015)
  67. Bokhan P A, Gugin P P et al Physics of Plasmas 22 (6) (2015)
  68. Driessen A B J M, van Heesch E J M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 42 (10) 3083 (2014)
  69. Wang G, Su J et al Review of Scientific Instruments 84 (12) (2013)
  70. Lyublinsky A G, Korotkov S V et al IEEE Trans. Plasma Sci. 41 (10) 2625 (2013)
  71. Bokhan P A, Gugin P P et al Physics of Plasmas 20 (3) (2013)
  72. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 47 (5) 670 (2013)
  73. Ivanov P A, Grekhov I V Semiconductors 46 (4) 528 (2012)
  74. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 40 (11) 3100 (2012)
  75. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 46 (4) 519 (2012)
  76. Vasil’ev P V, Lyubutin S K et al Instrum Exp Tech 54 (1) 54 (2011)
  77. Lyubutin S, Pedos M et al IEEE Trans. Dielect. Electr. Insul. 18 (4) 1221 (2011)
  78. Grekhov I V, Kostina L S, Rozhkov A V Tech. Phys. Lett. 36 (10) 926 (2010)
  79. Gupta S, Farmer J et al J. Mater. Res. 25 (3) 444 (2010)
  80. Grekhov I V IEEE Trans. Plasma Sci. 38 (5) 1118 (2010)
  81. Rukin S N, Tsyranov S N Tech. Phys. 54 (11) 1591 (2009)
  82. Vasiliev P V, Lyubutin S K et al Semiconductors 43 (7) 953 (2009)
  83. Rukin S N, Tsyranov S N Semiconductors 43 (7) 957 (2009)
  84. Gupta S, Muralikiran M et al J. Mater. Res. 24 (4) 1498 (2009)
  85. Gupta S, Dudipala A et al Journal of Applied Physics 104 (7) (2008)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение