RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 1, 2026
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2005

 / 

Июль

←  →

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

 а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А см-2 и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А см-2 и 1010 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст pdf (373 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471
PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
000233309400003
2005PhyU...48..703G
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

Список литературы (28) Статьи, ссылающиеся на эту (81) ↓ Похожие статьи (19)

  1. Gonzalez N E, Cooper J, Lehr Ja Eng 6 (7) 144 (2025)
  2. Liu Zh, Li H et al IEEE Trans. Plasma Sci. 53 (12) 3874 (2025)
  3. Chapin C A, Shao Q et al IEEE Trans. Electron Devices 72 (10) 5496 (2025)
  4. Lowery S, Halterman E et al 2025 IEEE Electric Ship Technologies Symposium (ESTS), (2025) p. 199
  5. Shahriari E, Gusev A I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 53 (7) 1583 (2025)
  6. Pei Ya, Boudikian D 2025 International Symposium on Electromagnetic Compatibility – EMC Europe, (2025) p. 1086
  7. Graves D Z, Lehmann M et al 2024 IEEE International Power Modulator and High Voltage Conference (IPMHVC), (2024) p. 1
  8. Kesar A S, Raizman A et al IEEE Trans. Plasma Sci. 52 (11) 5385 (2024)
  9. Lin M, Li H et al IEEE Trans. Instrum. Meas. 73 1 (2024)
  10. Guo J, Chen Ya et al Electronics 13 (11) 2152 (2024)
  11. Bancheri Ju, Currell A et al Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment 1069 169935 (2024)
  12. Graves D Z, Bilbao A V et al 2023 IEEE Pulsed Power Conference (PPC), (2023) p. 1
  13. Garnov S V, Selemir V D et al Dokl. Phys. 68 (3) 67 (2023)
  14. Gusev A I, Lavrinovich I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 (10) 2858 (2023)
  15. Huiskamp T, van Heesch E J M, Pemen A J M Pulsed Discharge Plasmas Springer Series in Plasma Science and Technology Chapter 1 (2023) p. 3
  16. Kesar A S, Wolf M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 51 (4) 1133 (2023)
  17. Bukin V V, Dolmatov T V et al Tech. Phys. Lett. 48 (10) 283 (2022)
  18. Lyublinsky A G, Kardo-Sysoev A F et al IEEE Trans. Power Electron. 37 (6) 6271 (2022)
  19. Jiang S, Wang Z et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (2) 374 (2022)
  20. Yuan Q, Deng Z et al Review of Scientific Instruments 93 (5) (2022)
  21. Huang X, Liang L Lecture Notes in Electrical Engineering Vol. Conference Proceedings of 2021 International Joint Conference on Energy, Electrical and Power EngineeringA DSRD-Based Trigger Circuit for RBDT899 Chapter 2 (2022) p. 11
  22. Degnon M R, Gusev A I et al IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (10) 3384 (2022)
  23. Yang Z, Liang L, Yan X IEEE Trans. Plasma Sci. 50 (5) 1276 (2022)
  24. Grover H S, Dawson F IEEE Trans. Plasma Sci. 49 (12) 3907 (2021)
  25. Fang X, Song H et al Review of Scientific Instruments 92 (8) (2021)
  26. Bobreshov A M, Zhabin A S et al IEEE Microw. Wireless Compon. Lett. 31 (2) 204 (2021)
  27. Rozhkov A V Instrum Exp Tech 64 (5) 680 (2021)
  28. Wang Gan-ping, Li F et al 2020 IEEE International Conference on High Voltage Engineering and Application (ICHVE), (2020) p. 1
  29. Yang J, Xie Ya et al IEEE Lett. on Electromagn. Compat. Pract. and Appl. 2 (4) 142 (2020)
  30. Huiskamp T Plasma Sources Sci. Technol. 29 (2) 023002 (2020)
  31. Korotkov S V, Aristov Yu V, Zhmodikov A L Instrum Exp Tech 63 (1) 53 (2020)
  32. Kladukhin V, Kladukhin S, Khramtsov S 2020 7th International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE), (2020) p. 286
  33. Azizi M, van Oorschot J J, Huiskamp T IEEE Trans. Plasma Sci. 48 (12) 4262 (2020)
  34. Korotkov S V, Smorodinov V V et al IOP Conf. Ser.: Mater. Sci. Eng. 643 (1) 012081 (2019)
  35. Kyuregyan A S Semiconductors 53 (7) 969 (2019)
  36. Lebedev A A, Ivanov P A et al Phys.-Usp. 62 (8) 754 (2019)
  37. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Semiconductors 53 (4) 524 (2019)
  38. Kyuregyan A S Semiconductors 53 (7) 962 (2019)
  39. Kyuregyan A S Semiconductors 52 (3) 341 (2018)
  40. Samizadeh N M, Hashemi S M-A, Farzaneh F IEEE Trans. Plasma Sci. 46 (2) 427 (2018)
  41. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 63 (1) 86 (2018)
  42. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Tech. Phys. Lett. 44 (2) 87 (2018)
  43. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 51 (36) 364001 (2018)
  44. Smirnov A A, Shevchenko S A J. Phys.: Conf. Ser. 993 012033 (2018)
  45. Poklonski N A, Vyrko S A, Dzeraviaha A N Semiconductors 52 (6) 692 (2018)
  46. Gorbatyuk A V, Ivanov B V Tech. Phys. Lett. 44 (12) 1241 (2018)
  47. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2017 IEEE Conference of Russian Young Researchers in Electrical and Electronic Engineering (EIConRus), (2017) p. 291
  48. Grekhov I V, Rozhkov A V Instrum Exp Tech 59 (1) 82 (2016)
  49. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 61 (2) 240 (2016)
  50. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 44 (10) 2424 (2016)
  51. Afanasyev A V, Ivanov B V et al J. Phys.: Conf. Ser. 741 012175 (2016)
  52. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. Lett. 42 (5) 451 (2016)
  53. Bokhan P A, Gugin P P et al J. Phys. D: Appl. Phys. 49 (24) 245202 (2016)
  54. Ivanov B V, Smirnov A A et al 2016 57th International Scientific Conference on Power and Electrical Engineering of Riga Technical University (RTUCON), (2016) p. 1
  55. Sharabani Ya, Shafir I et al IEEE Electron Device Lett. 37 (8) 1041 (2016)
  56. Bokhan P A, Gugin P P et al Physics of Plasmas 22 (6) (2015)
  57. Ivanov P A, Grekhov I V Tech. Phys. 60 (6) 897 (2015)
  58. Ivanov P A, Kon’kov O I et al Semiconductors 49 (11) 1511 (2015)
  59. Bokhan P A, Gugin P P et al Tech. Phys. 60 (10) 1464 (2015)
  60. Korotkov S V, Voronkov V B, Aristov Yu V Instrum Exp Tech 58 (4) 488 (2015)
  61. Grekhov I V, Lyublinskii A G, Smirnova I A Tech. Phys. 60 (11) 1677 (2015)
  62. Gusev A I, Pedos M S et al Review of Scientific Instruments 86 (11) (2015)
  63. Sharabani Y, Rosenwaks Y, Eger D Phys. Rev. Applied 4 (1) (2015)
  64. Driessen A B J M, van Heesch E J M et al IEEE Trans. Plasma Sci. 42 (10) 3083 (2014)
  65. Bokhan P A, Gugin P P et al Physics of Plasmas 20 (3) (2013)
  66. Lyublinsky A G, Korotkov S V et al IEEE Trans. Plasma Sci. 41 (10) 2625 (2013)
  67. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 47 (5) 670 (2013)
  68. Wang G, Su J et al Review of Scientific Instruments 84 (12) (2013)
  69. Ivanov P A, Grekhov I V Semiconductors 46 (4) 528 (2012)
  70. Lyubutin S K, Rukin S N et al Semiconductors 46 (4) 519 (2012)
  71. Kesar A S, Sharabani Ya et al IEEE Trans. Plasma Sci. 40 (11) 3100 (2012)
  72. Lyubutin S, Pedos M et al IEEE Trans. Dielect. Electr. Insul. 18 (4) 1221 (2011)
  73. Vasil’ev P V, Lyubutin S K et al Instrum Exp Tech 54 (1) 54 (2011)
  74. Grekhov I V, Kostina L S, Rozhkov A V Tech. Phys. Lett. 36 (10) 926 (2010)
  75. Gupta S, Farmer J et al J. Mater. Res. 25 (3) 444 (2010)
  76. Grekhov I V IEEE Trans. Plasma Sci. 38 (5) 1118 (2010)
  77. Gupta S, Muralikiran M et al J. Mater. Res. 24 (4) 1498 (2009)
  78. Vasiliev P V, Lyubutin S K et al Semiconductors 43 (7) 953 (2009)
  79. Rukin S N, Tsyranov S N Semiconductors 43 (7) 957 (2009)
  80. Rukin S N, Tsyranov S N Tech. Phys. 54 (11) 1591 (2009)
  81. Gupta S, Dudipala A et al Journal of Applied Physics 104 (7) (2008)
© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение