Выпуски

 / 

2005

 / 

Июль

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

 а,  б
а Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
б Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 1010 Вт) и частоты следования (до 104 Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 102 А см-2 и обрываемую мощность до 108 Вт. Вторые, соответственно, до 105 А см-2 и 1010 Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст pdf (373 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471
PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
000233309400003
2005PhyU...48..703G
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switchingPhys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

Список литературы (28) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (73) Похожие статьи (19)

  1. Месяц Г А Генерирование мощных наносекундных импульсов (М.: Сов. радио, 1974)
  2. Boff A, Moll J, Shen R in 3rd Intern. Solid-State Circuits Conf.: Digest of Technical Papers (New York: Lewis Winner, 1960) p. 50
  3. Еремин С А, Мокеев О К, Носов Ю Р Полупроводниковые приборы с накоплением заряда и их применение (М.: Сов. радио, 1966)
  4. Benda H, Spenke E Proc. IEEE 55 1331 (1967)
  5. Грехов И В, Гейфман Е М, Костина Л С ЖТФ 53 726 (1983)
  6. Грехов И В и др. "Способ создания источника диффузии алюминия в кремний" Авт. свид. СССР №176989, приоритет от 6 июля 1964 г.
  7. Landsberg P T, Kousik G S J. Appl. Phys. 56 1696 (1984)
  8. Грехов И В и др. Письма в ЖТФ 9 435 (1983)
  9. Grekhov I V et al. Solid-State Electron. 28 597 (1985)
  10. Грехов И В Изв. РАН Энергетика (1) 53 (2000)
  11. Huldt L Phys. Status Solidi A 8 435 (1971)
  12. Haug A Solid State Commun. 25 477 (1978)
  13. Howard N R, Johnson G V Solid-State Electron. 8 275 (1965)
  14. Efanov V N et al. in 11th IEEE Intern. Pulsed Power Conf., Baltimore, Maryland, USA, June 29 - July 2, 1997 : Digest of Technical Papers Vol. 2 (Eds G Cooperstein, I Vitkovitsky) (New York: IEEE, 1997) p. 985
  15. Pemen A J M et al. Rev. Sci. Instrum. 74 4361 (2003)
  16. Grekhov I in 11th IEEE Intern. Pulsed Power Conf., Baltimore, Maryland, USA, June 29 - July 2, 1997, Book of Abstracts p. 0.10.8
  17. Котов Ю А и др. Докл. РАН 330 315 (1993)
  18. Дарзнек С А, Рукин С Н, Цыранов С Н ЖТФ 70 (4) 56 (2000)
  19. Рукин С Н ПТЭ (4) 5 (1999)
  20. Darznek S A et al. in BEAMS'96: Proc. of the 11th Intern. Conf. on High Power Particle Beams, Prague, Czech Republic, June 10 - 14, 1996 Vol. 2 (Eds K Jungwirth, J M Ullschmied) (Prague: Institute of Plasma Physics Acad. of Sci. of the Czech Republic, 1996) p. 1241
  21. Дарзнек С А, Месяц Г А, Рукин С Н ЖТФ 67 (10) 64 (1997)
  22. Рукин С Н, Цыранов С Н Письма в ЖТФ 30 (1) 43 (2004)
  23. Grekhov I, Mesyats G A IEEE Trans. Plasma Sci. 28 1540 (2000)
  24. Любутин С К и др. Докл. РАН 360 477 (1998)
  25. Месяц Г А Импульсная энергетика и электроника (М.: Наука, 2004)
  26. Грехов И В и др. Письма в ЖТФ 28 (13) 24 (2002)
  27. Grekhov I V et al. Solid-State Electron. 47 1769 (2003)
  28. Грехов И В и др. ФТП 37 1148 (2003)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение