Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов

И.В. Грехов^а, Г.А. Месяц^б
^аФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация
^бФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 10¹⁰ Вт) и частоты следования (до 10⁴ Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 10² А см^-2 и обрываемую мощность до 10⁸ Вт. Вторые, соответственно, до 10⁵ А см^-2 и 10¹⁰ Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

Текст pdf (373 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/
Web of Science

000233309400003
ADS NASA

2005PhyU...48..703G
Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471

Список литературы (28) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (70) Похожие статьи (19)

Месяц Г А Генерирование мощных наносекундных импульсов (М.: Сов. радио, 1974)
Boff A, Moll J, Shen R in 3rd Intern. Solid-State Circuits Conf.: Digest of Technical Papers (New York: Lewis Winner, 1960) p. 50
Еремин С А, Мокеев О К, Носов Ю Р Полупроводниковые приборы с накоплением заряда и их применение (М.: Сов. радио, 1966)
Benda H, Spenke E Proc. IEEE 55 1331 (1967)
Грехов И В, Гейфман Е М, Костина Л С ЖТФ 53 726 (1983)
Грехов И В и др. "Способ создания источника диффузии алюминия в кремний" Авт. свид. СССР №176989, приоритет от 6 июля 1964 г.
Landsberg P T, Kousik G S J. Appl. Phys. 56 1696 (1984)
Грехов И В и др. Письма в ЖТФ 9 435 (1983)
Grekhov I V et al. Solid-State Electron. 28 597 (1985)
Грехов И В Изв. РАН Энергетика (1) 53 (2000)
Huldt L Phys. Status Solidi A 8 435 (1971)
Haug A Solid State Commun. 25 477 (1978)
Howard N R, Johnson G V Solid-State Electron. 8 275 (1965)
Efanov V N et al. in 11th IEEE Intern. Pulsed Power Conf., Baltimore, Maryland, USA, June 29 - July 2, 1997 : Digest of Technical Papers Vol. 2 (Eds G Cooperstein, I Vitkovitsky) (New York: IEEE, 1997) p. 985
Pemen A J M et al. Rev. Sci. Instrum. 74 4361 (2003)
Grekhov I in 11th IEEE Intern. Pulsed Power Conf., Baltimore, Maryland, USA, June 29 - July 2, 1997, Book of Abstracts p. 0.10.8
Котов Ю А и др. Докл. РАН 330 315 (1993)
Дарзнек С А, Рукин С Н, Цыранов С Н ЖТФ 70 (4) 56 (2000)
Рукин С Н ПТЭ (4) 5 (1999)
Darznek S A et al. in BEAMS'96: Proc. of the 11th Intern. Conf. on High Power Particle Beams, Prague, Czech Republic, June 10 - 14, 1996 Vol. 2 (Eds K Jungwirth, J M Ullschmied) (Prague: Institute of Plasma Physics Acad. of Sci. of the Czech Republic, 1996) p. 1241
Дарзнек С А, Месяц Г А, Рукин С Н ЖТФ 67 (10) 64 (1997)
Рукин С Н, Цыранов С Н Письма в ЖТФ 30 (1) 43 (2004)
Grekhov I, Mesyats G A IEEE Trans. Plasma Sci. 28 1540 (2000)
Любутин С К и др. Докл. РАН 360 477 (1998)
Месяц Г А Импульсная энергетика и электроника (М.: Наука, 2004)
Грехов И В и др. Письма в ЖТФ 28 (13) 24 (2002)
Grekhov I V et al. Solid-State Electron. 47 1769 (2003)
Грехов И В и др. ФТП 37 1148 (2003)