Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 10¹⁰ Вт) и частоты следования (до 10⁴ Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 10² А см^-2 и обрываемую мощность до 10⁸ Вт. Вторые, соответственно, до 10⁵ А см^-2 и 10¹⁰ Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все) DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/ 000233309400003 2005PhyU...48..703G Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов AU Грехов И В FAU Грехов ИВ AU Месяц Г А FAU Месяц ГА DP 10 Jul, 2005 TA Усп. физ. наук VI 175 IP 7 PG 735-744 RX 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735 URL https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/ SO Усп. физ. наук 2005 Jul 10;175(7):735-744 English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471