Разработка полупроводниковых нано- и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 10¹⁰ Вт) и частоты следования (до 10⁴ Гц) импульсных устройств. Главное внимание в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Первые позволяют получать плотность тока до 10² А см^-2 и обрываемую мощность до 10⁸ Вт. Вторые, соответственно, до 10⁵ А см^-2 и 10¹⁰ Вт. Рассмотрена также возможность использования в качестве базового материала не только монокристаллического кремния, как в ДДРВ и SOS-диодах, но и монокристаллического карбида кремния SiC.

PACS: 84.70.+p, 85.30.−z, 85.30.Kk (все) DOI: 10.3367/UFNr.0175.200507c.0735 URL: https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/ 000233309400003 2005PhyU...48..703G Цитата: Грехов И В, Месяц Г А "Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов" УФН 175 735–744 (2005) BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks Русский English TY JOUR TI Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching AU Grekhov, I. V. AU Mesyats, G. A. PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk PY 2005 JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk JA Usp. Fiz. Nauk VL 175 IS 7 SP 735-744 UR https://ufn.ru/ru/articles/2005/7/c/ ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0175.200507c.0735 English citation: Grekhov I V, Mesyats G A “Nanosecond semiconductor diodes for pulsed power switching” Phys. Usp. 48 703–712 (2005); DOI: 10.1070/PU2005v048n07ABEH002471