RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 4, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2002

 / 

Сентябрь

←  →

Нобелевские лекции по физике


Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация

Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2000 г.
Перевел с англ. Б.В. Егоров. Перевод авторизовал Ж.И. Алферов.

Текст pdf (716 Кб)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200209e.1068
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/9/e/
Цитата: Алфёров Ж И "Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии" УФН 172 1068 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Список литературы (89) Статьи, ссылающиеся на эту (34) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Konyshev V A, Leonov A V et al Bull. Lebedev Phys. Inst. 50 S435 (2023)
  2. Родина А В Priroda (12) 48 (2023)
  3. Prudnikov I R J Struct Chem 62 622 (2021)
  4. Pokutnyi S I Springer Proceedings in Physics Vol. Nanomaterials and Nanocomposites, Nanostructure Surfaces, and Their ApplicationsPolarization of Germanium Quantum Dots in Heterostructure Ge/Si Caused by Spatially Indirect Exciton Transitions: Theory246 Chapter 43 (2021) p. 615
  5. Pokutnyi S I Eur. Phys. J. Plus 135 (1) (2020)
  6. Koryukin I V Radiophys Quantum El 60 889 (2018)
  7. Ratnikov P V, Silin A P Успехи физических наук 188 1249 (2018)
  8. Pokutnii S I Tech. Phys. 60 1615 (2015)
  9. Punegov V I Успехи физических наук 185 449 (2015) [Punegov V I Phys.-Usp. 58 419 (2015)]
  10. Polyakov M S, Badalyan A M et al Chemical Vapor Deposition 20 170 (2014)
  11. Fedorov E G, Konobeeva N N, Belonenko M B Semiconductors 48 1348 (2014)
  12. Ptitsin V E 2014 2nd 2014 2nd International Conference on Emission Electronics (ICEE), (2014) p. 1
  13. Polyakov M S, Badalyan A M et al AMR 875-877 246 (2014)
  14. Bobrenko Yu N, Pavelets S Yu et al Semiconductors 47 1372 (2013)
  15. Alferov Zh I Russ. Chem. Rev. 82 587 (2013)
  16. Makarov G N Успехи физических наук 183 673 (2013)
  17. Pokutnyi S I Semiconductors 47 791 (2013)
  18. Pokutnyi S I Semiconductors 47 1626 (2013)
  19. Pokutnyi S I Semiconductors 46 165 (2012)
  20. Belonenko M B, Fedorov E G Opt. Spectrosc. 110 105 (2011)
  21. Shamirzaev T S Semiconductors 45 96 (2011)
  22. Ptitsin V E J. Phys.: Conf. Ser. 291 012019 (2011)
  23. Didyk A Yu, Khalil A S Phys. Part. Nuclei 41 230 (2010)
  24. Belonenko M B J Russ Laser Res 31 249 (2010)
  25. Pokutnii S I Semiconductors 44 488 (2010)
  26. Badalyan A M, Bakhturova L F et al Tech. Phys. Lett. 36 265 (2010)
  27. Latyshev A V Nanotechnol Russia 3 272 (2008)
  28. Min’ko N I, Nartsev V M Glass Ceram 65 148 (2008)
  29. Ptitsin V E Tech. Phys. 52 504 (2007)
  30. Lonskaya E I, Ryabushkin O A Jetp Lett. 82 664 (2005)
  31. Afanas’eva R V, Ermakova T G et al Dokl. Phys. 48 599 (2003)
  32. Suris R A, Dmitriev I A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 173 769 (2003)
  33. Mukhin K N, Sustavov A F, Tikhonov V N Uspekhi Fizicheskikh Nauk 173 511 (2003)
  34. Kroemer H Uspekhi Fizicheskikh Nauk 172 1087 (2002)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение