RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

2002

 / 

Сентябрь

←  →

Нобелевские лекции по физике


Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии


Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация

Нобелевская лекция. Стокгольм, 8 декабря 2000 г.
Перевел с англ. Б.В. Егоров. Перевод авторизовал Ж.И. Алферов.

Текст pdf (716 Кб)
DOI: 10.3367/UFNr.0172.200209e.1068
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2002/9/e/
Цитата: Алфёров Ж И "Двойные гетероструктуры: концепция и применения в физике, электронике и технологии" УФН 172 1068 (2002)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Список литературы (89) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (38) Похожие статьи (20)

  1. Жузе В П, Курчатов Б В "К вопросу об электропроводимости закиси меди" ЖЭТФ 309 (1932); Zhuze V P, Kurchatov B V "Zur elektrischen Leitfähigkeit von Kupferoxydul" Phys. Z. Sowjetunion 2 (6) 453 (1932); Frenkel Ya I, Ioffe A "On the electrical and photoelectric properties of contacts between a metal and semiconductor" Phys. Z. Sowjetunion 1 (1) 60 (1932)
  2. Frenkel J "On the transformation of light into heat in solids I" Phys. Rev. 37 17 (1931); Frenkel J "On the transformation of light into heat in solids II" Phys. Rev. 37 1276 (1931); Френкель Я И "О поглощении света и прилипании электронов и положительных дырок в кристаллических диэлектриках" ЖЭТФ 6 647 (1936); Гросс Е Ф, Каррыев Н А "Поглощение света кристаллом закиси меди в инфракрасной и видимой части спектра" ДАН СССР 84 261 (1952); Гросс Е Ф, Каррыев Н А "Оптический спектр экситона" ДАН СССР 84 471 (1952)
  3. Давыдов Б И "О контактном сопротивлении полупроводников" ЖЭТФ 9 451 (1939)
  4. Welker H "Über neue halbleitende Verbindungen I" Z. Naturforsch. A 7 744 (1952); Welker H "Über neue halbleitende Verbindungen II" Z. Naturforsch. A 8 248 (1953); Горюнова Н А "Серое олово" Дисс. ... канд. хим. наук (Л.: ЛГУ, Физико-технический институт, 1951); "Изучение электропроводимости полупроводников и интерметаллических соединений в твердом и жидком состояниях" Труды VII конференции по свойствам полупроводников, Киев, 1950; Блум А И, Мокровский Н П, Регель А Р , "Изучение электропроводимости полупроводников и интерметаллических соединений в твердом и жидком состояниях" Изв. АН СССР физ. 16 (2) 139 (1952)
  5. Shockley W ""Circuit Element Utilizing Semiconductive Material" US Patent 2,569,347, September 25, 1951 (1951)
  6. Губанов А И "Теория контакта двух полупроводников с различным типом проводимости" ЖТФ 20 1287 (1950); Губанов А И "Теория контакта двух полупроводников с проводимостью одного типа" ЖТФ 21 304 (1951)
  7. Kroemer H "Theory of a wide-gap emitter for transistors" Proc. IRE 45 1535 (1957); Kroemer H "Quasi-electric and quasi-magnetic fields in non-uniform semiconductors" RCA Rev. 18 332 (1957)
  8. Басов Н Г, Крохин О Н, Попов Ю М "Возможности использования непрямых переходов для получения отрицательной температуры в полупроводниках" ЖЭТФ 39 1486 (1961); Basov N G, Krokhin O N, Popov Yu M Sov. Phys. JETP 12 1033 (1961)
  9. Наследов Д Н, Рогачев А А, Рывкин С М, Царенков Б В "Рекомбинационное излучение арсенида галлия" ФТТ 4 1062 (1962); Nasledov D N, Rogachev A A, Ryvkin S M, Tsarenkov B V Sov. Phys. Solid State 4 782 (1962)
  10. Hall R N, Fenner G E, Kingsley J D, Soltys T J, Carlson R O "Coherent light emission from GaAs junctions" Phys. Rev. Lett. 9 366 (1962); Nathan M I, Dumke W P, Burns G, Dills F H (Jr), Lasher G "Stimulated emission of radiation from GaAs p - n junctions" Appl. Phys. Lett. 1 62 (1962); Holonyak N (Jr), Bevacqua S F "Coherent (visible) light emission from Ga(As1-xPx) junctions" Appl. Phys. Lett. 1 82 (1962)
  11. Алферов Ж И, Казаринов Р Ф "Полупроводниковый лазер с электрической накачкой" Авт. свид. №181737, Заявка №950840/26-25, Заявлено 30.03.1963 (1963); Алферов Ж И, Казаринов Р Ф Бюлл. изобрет. (14) 147 (1975); Kroemer H "A proposed class of heterojunction injection lasers" Proc. IEEE 51 1782 (1963)
  12. Алферов Ж И, Халфин В Б, Казаринов Р Ф "Об одной особенности инжекции в гетеропереходах" ФТТ 8 3102 (1966); Alferov Zh I, Khalfin V B, Kazarinov R F Sov. Phys. Solid State 8 2480 (1967)
  13. Алферов Ж И "О возможности создания выпрямителя на сверхвысокие плотности тока на основе p - i - n (p - n - n), (n - p - p)-структуры с гетеропереходами" ФТП 1 436 (1967); Alferov Zh I Sov. Phys. Semicond. 1 358 (1967)
  14. Anderson R L "Germanium-gallium arsenide heterojunctions" IBM J. Res. Dev. 4 283 (1960); Anderson R L "Experiments on Ge - GaAs heterojunctions" Solid State Electron. 5 341 (1962)
  15. Natta G, Passerini L Gazz. Chim. Ital. 58 458 (1928); Goldschmidt V M "Crystal structure and chemical constitution" Trans. Faraday Soc. 25 253 (1929)
  16. Алферов Ж И, Гарбузов Д З, Григорьева В С, Жиляев Ю В, Крадинова Л В, Корольков В И, Морозов Е П, Нинуа О А, Портной Е Л, Прочухан В Д, Трукан М К "Инжекционная люминесценция эпитаксиальных гетеропереходов в системе GaP - GaAs" ФТТ 9 279 (1967); Alferov Zh I, Garbuzov D Z, Grigor'eva V S, Zhilyaev Yu V, Kradinova L V, Korol'kov V I, Morozov E P, Ninua O A, Portnoi E L, Prochukhan V D, Trukan M K Sov. Phys. Solid State 9 208 (1967)
  17. Алферов Ж И, Жиляев Ю В, Шмарцев Ю В "Расщепление зоны проводимости в "сверхрешетке" на основе GaPxAs1-x" ФТП 5 196 (1971); Alferov Zh I, Zhilyaev Yu V, Shmartsev Yu V Sov. Phys. Semicond. 5 174 (1971)
  18. Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Третьяков Д Н, Тучкевич В М "Высоковольтные p - n-переходы в кристаллах GaxAl1-xAs" ФТП 1 1579 (1967); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Tret'yakov D N, Tuchkevich V M Sov. Phys. Semicond. 1 1313 (1968); Rupprecht H S, Woodall J M, Pettit G D "Efficient visible electroluminescence at 300 K from Ga1-xAlxAs p - n junctions grown by liquid-phase epitaxy" Appl. Phys. Lett. 11 81 (1967)
  19. Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Портной Е Л, Третьяков Д Н "Инжекционные свойства гетеропереходов n-AlxGa1-xAs - p-GaAs" ФТП 2 1016 (1968); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Portnoi E L, Tret'yakov D N Sov. Phys. Semicond. 2 843 (1969)
  20. Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Портной Е Л, Третьяков Д Н "Когерентное излучение в эпитаксиальных структурах с гетеропереходами в системе AlAs - GaAs" ФТП 2 1545 (1968); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Portnoi E L, Tret'yakov D N Sov. Phys. Semicond. 2 1289 (1969)
  21. (a), Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Портной Е Л, Третьяков Д Н "Рекомбинационное излучение в эпитаксиальных структурах в системе AlAs - GaAs" Труды 9-й Международной конф. по физ. полупровод., Москва, 23 - 29 июля 1968 г. Т. 1 (Л.: Наука, 1969) с. 534; (b), Alferov Zh I "Electroluminescence of heavily-doped heterojunctions p-AlxGa1-xAs-nGaAs" Proc. of the Intern. Conf. on Luminescence, Newark, Delaware, USA, August 25 - 29, 1969 (Ed. F Williams) (Amsterdam: North-Holland Publ. Co., 1969); Alferov Zh I J. Lumin. 1 869 (1970); (c), Алферов Ж И, Гарбузов Д З, Морозов Е П, Портной Е Л "Диагональное туннелирование и поляризация излучения в гетеропереходах AlxGa1-xAs-GaAs и p-n-переходах в GaAs" ФТП 3 1054 (1969); Alferov Zh I, Garbuzov D Z, Morozov E P, Portnoi E L Sov. Phys. Semicond. 3 885 (1970); (d), Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Портной Е Л, Яковенко А А "Рекомбинационное излучение в твердых растворах AlxGa1-xAs с переменной шириной запрещенной зоны" ФТП 3 541 (1969); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Portnoi E L, Yakovenko A A Sov. Phys. Semicond. 3 460 (1970)
  22. Алферов Ж И, Андреев В М, Портной Е Л, Трукан М К "Инжекционные лазеры на основе гетеропереходов в системе AlAs - GaAs с низким порогом генерации при комнатной температуре" ФТП 3 1328 (1969); Alferov Zh I, Andreev V M, Portnoi E L, Trukan M K Sov. Phys. Semicond. 3 1107 (1970)
  23. Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Портной Е Л, Яковенко А А "Источники спонтанного излучения на основе структур с гетеропереходами в системе AlAs - GaAs" ФТП 3 930 (1969); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Portnoi E L, Yakovenko A A Sov. Phys. Semicond. 3 785 (1970)
  24. Алферов Ж И, Андреев В М, Каган М Б, Протасов И И, Трофим В Г "Солнечные преобразователи на основе гетеропереходов p-AlxGa1-xAs - n-GaAs" ФТП 4 2378 (1970); Alferov Zh I, Andreev V M, Kagan M B, Protasov I I, Trofim V G Sov. Phys. Semicond. 4 2047 (1971)
  25. Алферов Ж И, Ахмедов Ф А, Корольков В И, Никитин В Г "Фототранзистор на основе гетеропереходов в системе GaAs - AlAs" ФТП 7 1159 (1973); Alferov Zh I, Akhmedov F A, Korol'kov V I, Nikitin V G Sov. Phys. Semicond. 7 780 (1973)
  26. Алферов Ж И, Андреев В М, Корольков В И, Никитин В Г, Яковенко А А "p - n - p - n-структуры на основе GaAs и твердых растворов AlxGa1-xAs" ФТП 4 578 (1970); Alferov Zh I, Andreev V M, Korol'kov V I, Nikitin V G, Yakovenko A A Sov. Phys. Semicond. 4 481 (1971)
  27. Hayashi I "Heterostructure lasers" IEEE Trans. Electron Dev. 31 1630 (1984)
  28. Алферов Ж И, Андреев В М, Гарбузов Д З, Жиляев Ю В, Морозов Е П, Портной Е Л, Трофим В Г "Исследование влияния параметров гетероструктуры в системе AlAs - GaAs на пороговый ток лазеров и получение непрерывного режима генерации при комнатной температуре" ФТП 4 1826 (1970); Alferov Zh I, Andreev V M, Garbuzov D Z, Zhilyaev Yu V, Morozov E P, Portnoi E L, Trofim V G Sov. Phys. Semicond. 4 1573 (1971)
  29. Hayashi I, Panish M B, Foy P W, Sumski S "Junction lasers which operate continuously at room temperature" Appl. Phys. Lett. 17 109 (1970)
  30. Alferov Zh I, Andreev V M, Konnikov S G, Nikitin V G, Tretyakov D N "Heterojunctions on the base of AIIIBV semiconducting compounds and of their solid solution" Proc. of the Intern. Conf. on Physics Chemistry of Semiconductor Heterojunctions and Layer Structures, Budapest, October, 1970 Vol. 1 (Eds G Szigeti et al.) (Budapest: Akadémiai Kiadó, 1971) p. 93
  31. Antipas G A, Moon R L, James L W, Edgecumbe J, Bell R L Gallium Arsenide and Related Compounds, 1972 (Institute of Physics Conf. Series, Vol. 17) (London: Institute of Physics, 1973) p. 48
  32. James L, Antipas G, Moon R, Edecumbe J, Bell R L "Photoemission from cesium-oxide-activated InGaAsP" Appl. Phys. Lett. 22 270 (1973)
  33. Богатов А П, Долгинов Л М, Дружинина Л В, Елисеев П Г, Свердлов Л Н, Шевченко Е Г "Гетеролазеры на основе твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y и AlxGa1-xSbyAs1-y" Квант. электрон. 1 2294 (1974); Bogatov A P, Dolginov L M, Druzhinina L V, Eliseev P G, Sverdlov L N, Shevchenko E G Sov. J. Quantum Electron. 1 1281 (1974); Hsieh J J "Room-temperature operation of GaInAsP/InP doubleheterostructure diode lasers emitting at 1.1 μm" Appl. Phys. Lett. 28 283 (1976)
  34. Алферов Ж И, Арсентьев И Н, Гарбузов Д З, Конников С Г, Румянцев В Д "Генерация когерентного излучения в гетероструктурах nGa0,5In0,5P - pGax~0,55In1-xAsy~0,10P1-y - nGa0,5In0,5P" Письма в ЖТФ 1 305 (1975); Alferov Zh I, Arsent'ev I N, Garbuzov D Z, Konnikov S G, Rumyantsev V D Sov. Tech. Phys. Lett. 1 147 (1975); Алферов Ж И, Арсентьев И Н, Гарбузов Д З, Конников С Г, Румянцев В Д "Красные инжекционные гетеролазеры в системе Ga - In - As- P" Письма в ЖТФ 1 406 (1975); Alferov Zh I, Arsent'ev I N, Garbuzov D Z, Konnikov S G, Rumyantsev V D Sov. Tech. Phys. Lett. 1 191 (1975); Hitchens W R, Holonyak N (Jr), Wright P D, Coleman J J "Low-threshold LPE In1-xGaxP1-zAsz/In1-xGaxP1-zAsz/In1-xGaxP1-zAsz yellow double-heterojunction laser diodes (J < 104 A/cm2, I = 5850 A, 77 K)" Appl. Phys. Lett. 27 245 (1975)
  35. Алферов Ж И, Андреев В М, Казаринов Р Ф, Портной Е Л, Сурис Р А "Полупроводниковый оптический квантовый генератор" Авт. свид. №392875 (СССР) МКИ H01 S 3/19, Заявка №1677436/26-25, Заявлено 19.07.1971 (1977); Алферов Ж И, Андреев В М, Казаринов Р Ф, Портной Е Л, Сурис Р А Бюлл. изобрет. (1) 259 (1977)
  36. Kogelnik H, Shank C V "Stimulated emission in a periodic structure" Appl. Phys. Lett. 18 152 (1971)
  37. Казаринов Р Ф, Сурис Р А "Инжекционный гетеролазер с дифракционной решеткой на контактной поверхности" ФТП 6 1359 (1972); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 6 1184 (1973)
  38. Алферов Ж И, Гуревич С А, Казаринов Р Ф, Мизеров М Н, Портной Е Л, Сейсян Р П, Сурис Р А "ПКГ со сверхмалой расходимостью излучения" ФТП 8 832 (1974); Alferov Zh I, Gurevich S A, Kazarinov R F, Mizerov M N, Portnoi E L, Seisyan R P, Suris R A Sov. Phys. 8 541 (1974); Алферов Ж И, Гуревич С А, Кучинский В И, Мизеров М Н, Портной Е Л "Полупроводниковый лазер с распределенной обратной связью во втором порядке" Письма в ЖТФ 1 645 (1975); Alferov Zh I, Gurevich S A, Kuchinskii V I, Mizerov M N, Portnoi E L Sov. Tech. Phys. Lett. 1 286 (1975)
  39. Nakamura M, Yariv A, Yen H W, Somekh S, Garvin H L "Optically pumped GaAs surface laser with corrugation feedback" Appl. Phys. Lett. 22 315 (1973)
  40. Scifres D R, Burnham R D, Streifer W "Distributed-feedback single heterojunction GaAs diode laser" Appl. Phys. Lett. 25 203 (1974)
  41. Kroemer H, Griffiths G "Staggered-lineup heterojunctions as sources of tunable bellow-gap radiation: Operating principle and semiconductor selection" IEEE Electron Dev. Lett. 4 (1) 20 (1983)
  42. Баранов А Н, Джурганов Б Е, Именков А М, Рогачев А А, Шерняков Ю М, Яковлев Ю П "Генерация когерентного излучения в квантово-размерной структуре на одном гетеропереходе" ФТП 20 2217 (1986); Baranov A N, Dzhurganov B E, Imenkov A M, Rogachev A A, Shernyakov Yu M, Yakovlev Yu P Sov. Phys. Semicond. 20 1385 (1986)
  43. Cho A Y "Film deposition by molecular-beam techniques" J. Vac. Sci. Technol. 8 (5) S31 (1971); Cho A Y "Growth of periodic structures by the molecular-beam method" Appl. Phys. Lett. 19 467 (1971)
  44. Manasevit H M "Single crystal GaAs on insulating substrates" Appl. Phys. Lett. 12 156 (1968)
  45. Dupuis R D, Dapkus P D "Room-temperature operation of Ga1-xAlxAs/GaAs double-heterostructure lasers grown by metalorganic chemical vapor deposition" Appl. Phys. Lett. 31 466 (1977)
  46. Dingle R, Wiegmann W, Henry C H "Quantum states of confined carriers in very thin AlxGa1-xAs - GaAs - AlxGa1-xAs heterostructures" Phys. Rev. Lett. 33 827 (1974)
  47. Esaki L, Tsu R "Superlattice and negative differential conductivity in semiconductors" IBM J. Res. Dev. 14 61 (1970)
  48. Келдыш Л В "О влиянии ультразвука на электронный спектр кристалла" ФТТ 4 2265 (1962); Keldysh L V Sov. Phys. Solid State 4 1658 (1963)
  49. Казаринов Р Ф, Сурис Р А "О возможности усиления электромагнитных волн в полупроводнике со сверхрешетками" ФТП 5 797 (1971); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 5 707 (1971); Казаринов Р Ф, Сурис Р А "К теории электрических и электромагнитных свойств полупроводников со сверхрешетками" ФТП 6 148 (1972); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 6 120 (1972); Казаринов Р Ф, Сурис Р А "К теории электрических свойств полупроводников со сверхрешеткой" ФТП 7 488 (1973); Kazarinov R F, Suris R A Sov. Phys. Semicond. 7 347 (1973)
  50. Tsu R, Esaki L "Tunneling in a finite superlattice" Appl. Phys. Lett. 22 562 (1973)
  51. Osbourn G C "Strained-layer superlattices from lattice mismatched materials" J. Appl. Phys. 53 1586 (1982)
  52. Ludowise M, Dietze W T, Lewis C R, Camras M D, Holonyak N (Jr), Fuller B K, Nixon M A "Continuous 300 K laser operation of strained superlattices" Appl. Phys. Lett. 42 487 (1983)
  53. Chang L L, Esaki L, Howard W E, Ludeke R "The growth of a GaAs - GaAlAs superlattice" J. Vac. Sci. Technol. 10 11 (1973)
  54. Chang L L, Esaki L, Tsu R "Resonant tunneling in semiconductor double barriers" Appl. Phys. Lett. 24 593 (1974)
  55. Esaki L, Chang L L "New transport phenomenon in a semiconductor 'superlattice'" Phys. Rev. Lett. 33 495 (1974)
  56. Schrieffer J R Semiconductor Surface Physics (Ed. R H Kingston) (Philadelphia, PA: Univ. of Pennsylvania Press, 1957) p. 68
  57. Fowler A B, Fang F F, Howard W E, Stiles P J "Magneto-oscillatory conductance in silicon surfaces" Phys. Rev. Lett. 16 901 (1966)
  58. Lutskii V N "Quantum-size effect — present state and perspective on experimental investigations" Phys. Status Solidi A 1 199 (1970)
  59. Dingle R, Störmer H L, Gossard A C, Wiegmann W "Electron mobilities in modulation-doped semiconductor heterojunction superlattices" Appl. Phys. Lett. 33 665 (1978)
  60. Delagebeaudeuf D, Delescluse P, Etienne P, Laviron M, Chaplart J, Linh N T "Two-dimensional electron gas MESFET structure" Electron. Lett. 16 667 (1980)
  61. Mimura T, Hiyamizu S, Fujii T, Nanbu K "A new field-effect transistor with selectively doped GaAs/n-AlxGa1-xAs heterojunctions" Jpn. J. Appl. Phys. 19 L225 (1980)
  62. van der Ziel J P, Dingle R, Miller R C, Wiegmann W, Nordland W A (Jr) "Laser oscillation from quantum states in very thin GaAs - Al0.2Ga0.8As multilayer structures" Appl. Phys. Lett. 26 463 (1975)
  63. Dupuis R D, Dapkus P D, Holonyak N (Jr), Rezek E A, Chin R "Room-temperature laser operation of quantum-well Ga1-xAlxAs - GaAs laser diodes grown by metalorganic chemical vapor deposition" Appl. Phys. Lett. 32 295 (1978)
  64. Tsang W T "Extremely low threshold (AlGa)As graded-index waveguide separate-confinement heterostructure lasers grown by molecular beam epitaxy" Appl. Phys. Lett. 40 217 (1982)
  65. Rezek E A, Shichijo H, Vojak B A, Holonyak N (Jr) "Confined-carrier luminescence of a thin In1-xGaxP1-zAsz well (x ~ 0.13, z ~ 0.29, ~ 400 Å) in an InP p - n junction" Appl. Phys. Lett. 31 534 (1977)
  66. Алферов Ж И, Гарбузов Д З, Арсентьев И Н, Бер Б Я, Вавилова Л С, Красовский В В, Чудинов А В "Оже-профили состава и люминесцентные исследования жидкофазных InGaAsP-гетероструктур с активными областями (1,5 - 5) × 10-6 см" ФТП 19 1108 (1985); Alferov Zh I, Garbuzov D Z, Arsent'ev I N, Ber B Ya, Vavilova L S, Krasovskii V V, Chudinov A V Sov. Phys. Semicond. 19 679 (1985)
  67. Алферов Ж И, Андреев В М, Воднев А А, Конников С Г, Ларионов В Р, Погребицкий К Ю, Румянцев В Д, Хвостиков В П "AlGaAs-гетероструктуры с квантово-размерными слоями, полученные низкотемпературной жидкофазной эпитаксией" Письма в ЖТФ 12 1089 (1986); Alferov Zh I, Andreev V M, Vodnev A A, Konnikov S G, Larionov V P, Pogrebitskii K Yu, Rumyantsev V D, Khvostikov V P Sov. Tech. Phys. Lett. 12 450 (1986)
  68. Алферов Ж И, Гарбузов Д З, Кижаев К Ю, Нивин А Б, Никишин С А, Овчинников А В, Соколова З Н, Тарасов И С, Чудинов А В "Низкопороговые InGaAsP/InP лазеры раздельного ограничения с λ = 1,3 мкм и λ = 1,55 мкм (jпор = 600 - 700 A/cм2)" Письма в ЖТФ 12 210 (1986); Alferov Zh I, Garbuzov D Z, Kizhaev K Yu, Nivin A B, Nikishin S A, Ovchinnikov A V, Sokolova Z N, Tarasov I S, Chudinov A V Sov. Tech. Phys. Lett. 12 87 (1986); Алферов Ж И, Антонишкис Н Ю, Арсентьев И Н, Гарбузов Д З, Тикунов А В, Халфин В Б "Низкопороговые квантово-размерные InGaAsP/GaAs РО ДГ лазеры, изготовленные методом жидкостной эпитаксии (λ = 0,86 мкм, Iп = 90 А/см2, L = ∞; Iп = 165 А/см2, L = 1150 мкм, T = 300 K" Письма в ЖТФ 12 210 (1987); Alferov Zh I, Antonishkis N Yu, Arsent'ev I N, Garbuzov D Z, Tikunov A V, Khalfin V B Sov. Phys. Semicond. 21 914 (1987)
  69. Алферов Ж И, Антонишкис Н Ю, Колышкин В И, Налет Т А, Стругов Н А, Тикунов А В "Квантово-размерные InGaAsP/GaAs (λ = 0,86 - 0,78 мкм) лазеры раздельного ограничения (Iп = 100 A/cм2, к.п.д. = 59 %)" ФТП 22 1031 (1988); Alferov Zh I, Antonishkis N Yu, Kolyshkin V I, Nalet T A, Strugov N A, Tikunov A V Sov. Phys. Semicond. 22 650 (1988); Garbuzov D Z et al. Technical Digest CLEO, paper THU44 (1988) p. 396
  70. Garbuzov D Z et al. 12th IEEE Intern. Semiconductor Laser Conf., Davos, Switzerland, Sept. 1990, Conf. Digest, paper L-33 (1990) p. 238
  71. Алферов Ж И, Васильев А М, Иванов С В, Копьев П С, Леденцов Н Н, Луценко М Э, Мельцер Б Я, Устинов В М "Снижение пороговой плотности тока в GaAs - AlGaAs ДГС РО квантово-размерных лазерах (Jп = 52 A/cм2, T = 300 К) при ограничении квантовой ямы короткопериодной сверхрешеткой с переменным шагом" Письма в ЖТФ 14 1803 (1988); Alferov Zh I, Vasil'ev A M, Ivanov S V, Kop'ev P S, Ledentsov N N, Lutsenko M E, Mel'tser B Ya, Ustinov V M Sov. Tech. Phys. Lett. 14 782 (1988)
  72. Faist J, Capasso F, Sivco D L, Sirtori C, Hutchinson A L, Cho A Y "Quantum cascade laser" Science 264 553 (1994)
  73. v. Klitzing K, Dorda G, Pepper M "New method for high-accuracy determination of the fine-structure constant based on quantized Hall resistance" Phys. Rev. Lett. 45 494 (1980)
  74. Tsui D C, Stormer H L, Gossard A C "Two-dimensional magnetotransport in the extreme quantum limit" Phys. Rev. Lett. 48 1559 (1982)
  75. Arakawa Y, Sakaki H "Multidimensional quantum well laser and temperature dependence of its threshold current" Appl. Phys. Lett. 40 939 (1982)
  76. Екимов А И, Онущенко А А "Квантовый размерный эффект в трехмерных микрокристаллах полупроводников" Письма в ЖЭТФ 34 363 (1981); Ekimov A I, Onushchenko A A JETP Lett. 34 345 (1981)
  77. Goldstein L, Glas F, Marzin J Y, Charasse M N, Le Roux G "Growth by molecular beam epitaxy and characterization of InAs/GaAs strained-layer superlattices" Appl. Phys. Lett. 47 1099 (1985)
  78. Ledentsov N N, Grundmann M, Kirstaedter N, Christen J, Heitz R, Böhrer J, Heinrichsdorff F, Bimberg D, Ruvimov S S, Werner P, Richter U, Gösele U, Heydenreich J, Ustinov V M, Egorov A Yu, Maximov M V, Kop'ev P S, Alferov Zh I Proc. of the 22nd Intern. Conf. on the Physics of Semiconductors, Vancouver, Canada, Aug. 15 - 19, 1994 Vol. 3 (Ed. D J Lockwood) (Singapore: World Scientific Publ. Co., 1995) p. 1855
  79. Алферов Ж И, Гордеев Н Ю, Зайцев С В, Копьев П С, Кочнев И В, Комин В В, Крестников И Л, Леденцов Н Н, Лунев А В, Максимов М В, Рувимов С С, Сахаров А В, Цацульников А Ф, Шерняков Ю М, Бимберг Д "Низкопороговый инжекционный гетеролазер на квантовых точках, полученный методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений" ФТП 30 357 (1996); Alferov Zh I, Gordeev N Yu, Zaitsev S V, Kop'ev P S, Kochnev I V, Komin V V, Krestnikov I L, Ledentsov N N, Lunev A V, Maksimov M V, Ruvimov S S, Sakharov A V, Tsatsul'nikov A F, Shernyakov Yu M, Bimberg D Semicond. 30 197 (1996)
  80. Shchukin V A, Ledentsov N N, Kop'ev P S, Bimberg D "Spontaneous ordering of arrays of coherent strained islands" Phys. Rev. Lett. 75 2968 (1995)
  81. Алферов Ж И, Берт Н А, Егоров А Ю, Жуков А Е, Копьев П С, Косогов А О, Крестников И Л, Леденцов Н Н, Лунев А В, Максимов М В, Сахаров А В, Устинов В М, Цацульников А Ф, Шерняков Ю М, Бимберг Д "Инжекционный гетеролазер на основе массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице GaAs" ФТП 30 351 (1996); Alferov Zh I, Bert N A, Egorov A Yu, Zhukov A E, Kop'ev P S, Kosogov A O, Krestnikov I L, Ledentsov N N, Lunev A V, Maksimov M V, Sakharov A V, Ustinov V M, Tsatsul'nikov A F, Shernyakov Yu M, Bimberg D Semicond. 30 194 (1996)
  82. Kirstaedter N, Ledentsov N N, Grundmann M, Bimberg D, Ustinov V M, Ruvimov S S, Maximov M V, Kop'ev P S, Alferov Zh I, Richter U, Werner P, Gösele U, Heydenreich J "Low threshold, large T0 injection laser emission from (InGa)As quantum dots" Electron. Lett. 30 1416 (1994)
  83. Park G, Shchekin O B, Huffaker D L, Deppe D G "Low-threshold oxide-confined 1.3 μm quantum-dot laser" IEEE Photon. Technol. Lett. 12 230 (2000)
  84. Zhukov A E, Kovsh A R, Mikhrin S S, Maleev N A, Ustinov V M, Lifshits D A, Tarasov I S, Bedarev D A, Maximov M V, Tsatsul'nikov A F, Soshnikov I P, Kop'ev P S, Alferov Zh I, Ledentsov N N, Bimberg D "3.9 W CW power from sub-monolayer quantum dot diode laser" Electron. Lett. 35 1845 (1999)
  85. Asryan L V, Suris R A "Inhomogeneous line broadening and the threshold current density of a semiconductor quantum dot laser" Semicond. Sci. Tehnol. 11 554 (1996)
  86. Zhukov A E, Ustinov V M, Egorov A Yu, Kovsh A R, Tsatsul'nikov A F, Ledentsov N N, Zaitsev S V, Gordeev N Yu, Kop'ev P S, Alferov Zh I "Negative characteristic temperature of InGaAs quantum dot injection laser" Jpn. J. Appl. Phys. 36 4216 (1997)
  87. Park G, Shchekin O B, Csutak S, Huffaker D L, Deppe D "Room-temperature continuous-wave operation of a single-layered 1.3 μm quantum dot laser" Appl. Phys. Lett. 75 3267 (1999)
  88. Lott J A, Ledentsov N N, Ustinov V M, Egorov A Yu, Zhukov A E, Kop'ev P S, Alferov Zh I, Bimberg D "Vertical cavity lasers based on vertically coupled quantum dots" Electron. Lett. 33 1150 (1997)
  89. Lott J A, Ledentsov N N, Ustinov V M, Maleev N A, Zhukov A E, Kovsh A R, Maximov M V, Volovik B V, Alferov Zh I, Bimberg D "InAs - InGaAs quantum dot VCSELs on GaAs substrates emitting at 1.3 μm" Electron. Lett. 36 1384 (2000)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение