Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

Выпуски

А.В. Двуреченский, А.И. Якимов
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)

Текст pdf (139 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

PACS: 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
Web of Science

000174927700008
Цитата: Двуреченский А В, Якимов А И "Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" УФН 171 1371–1373 (2001)

English citation: Dvurechenskii A V, Yakimov A I “Quantum dot Ge/Si heterostructures” Phys. Usp. 44 1304–1307 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057