Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

2001

/

Декабрь

← →

Конференции и симпозиумы

Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

А.В. Двуреченский, А.И. Якимов
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)

Текст pdf (139 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

PACS: 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
Web of Science

Web of Science

000174927700008
Цитата: Двуреченский А В, Якимов А И "Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" УФН 171 1371–1373 (2001)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)

MedlineRefWorks

Русский

PT Journal Article
TI Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
AU Двуреченский А В
FAU Двуреченский АВ
AU Якимов А И
FAU Якимов АИ
DP 10 Dec, 2001
TA Усп. физ. наук
VI 171
IP 12
PG 1371-1373
RX 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
SO Усп. физ. наук 2001 Dec 10;171(12):1371-1373

English citation: Dvurechenskii A V, Yakimov A I “Quantum dot Ge/Si heterostructures” Phys. Usp. 44 1304–1307 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение