Выпуски

 / 

2001

 / 

Декабрь

  

Конференции и симпозиумы


Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at IOP
PACS: 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
Цитата: Двуреченский А В, Якимов А И "Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" УФН 171 1371–1373 (2001)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
AU Двуреченский, А. В.
AU Якимов, А. И.
PB Успехи физических наук
PY 2001
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 171
IS 12
SP 1371-1373
UR https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200112h.1371

English citation: Dvurechenskii A V, Yakimov A I “Quantum dot Ge/Si heterostructuresPhys. Usp. 44 1304–1307 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

© Успехи физических наук, 1918–2021
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение