Выпуск 4, 2024

Подписчикам

Для авторов

Выпуски

/

2001

/

Декабрь

← →

Конференции и симпозиумы

Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

А.В. Двуреченский, А.И. Якимов
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)

Текст pdf (139 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

PACS: 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
Web of Science

Web of Science

000174927700008
Цитата: Двуреченский А В, Якимов А И "Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" УФН 171 1371–1373 (2001)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

TY JOUR
TI Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками
AU Двуреченский, А. В.
AU Якимов, А. И.
PB Успехи физических наук
PY 2001
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 171
IS 12
SP 1371-1373
UR https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0171.200112h.1371

English citation: Dvurechenskii A V, Yakimov A I “Quantum dot Ge/Si heterostructures” Phys. Usp. 44 1304–1307 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение