Выпуски

 / 

2001

 / 

Декабрь

  

Конференции и симпозиумы


Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками

,
Институт физики полупроводников СО РАН, просп. Ак. Лаврентьева 13, Новосибирск, 630090, Российская Федерация

Краткое содержание доклада, представленного на Научной сессии Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)

Текст pdf (139 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057
PACS: 73.61.−r, 85.30.Vw, 85.30.Tv (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0171.200112h.1371
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/
000174927700008
Цитата: Двуреченский А В, Якимов А И "Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками" УФН 171 1371–1373 (2001)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Dvurechenskii:2001,
	author = {А. В. Двуреченский and А. И. Якимов},
	title = {Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {2001},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {171},
	number = {12},
	pages = {1371-1373},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/2001/12/h/},
	doi = {10.3367/UFNr.0171.200112h.1371}
}

English citation: Dvurechenskii A V, Yakimov A I “Quantum dot Ge/Si heterostructuresPhys. Usp. 44 1304–1307 (2001); DOI: 10.1070/PU2001v044n12ABEH001057

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение