Выпуски

 / 

2000

 / 

март

←  →

Конференции и симпозиумы


Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1–xGex и Si1–x–yGexCy

,
Институт физики микроструктур РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603600, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (215 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703
PACS: 79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003n.0338
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/n/
000087162100014
Цитата: Красильник З Ф, Новиков А В "Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1–xGex и Si1–x–yGexCy" УФН 170 338–341 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krasil’nik Z F, Novikov A V “Optical properties of strained Si1-xGex and Si1-x-yGexCy heterostructures” Phys. Usp. 43 295–298 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (5) Похожие статьи (20) ↓

  1. И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» УФН 171 857–858 (2001)
  2. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» УФН 171 1365–1367 (2001)
  3. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов «Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками» УФН 171 1371–1373 (2001)
  4. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» УФН 171 855 (2001)
  5. В.М. Агранович «Экситоны и оптические нелинейности в гибридных органических-неорганических наноструктурах» УФН 169 348–348 (1999)
  6. А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» УФН 171 1376–1379 (2001)
  7. А.Т. Рахимов «Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение)» УФН 170 996–999 (2000)
  8. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» УФН 171 855–857 (2001)
  9. В.Ф. Елесин, Ю.В. Копаев «Лазер на "штарковской лестнице" с когерентной электронной подсистемой» УФН 173 776–780 (2003)
  10. А.Г. Витухновский «Прогресс в области источников света и дисплеев» УФН 181 1341–1344 (2011)
  11. М.Я. Щелев «Пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника (взгляд через полувековую "лупу времени")» УФН 182 649–656 (2012)
  12. В.С. Днепровский «Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек» УФН 166 432–434 (1996)
  13. Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев «Влияние перераспределения электрического поля на электронные и оптические свойства наноструктур» УФН 167 558–562 (1997)
  14. Л.Н. Курбатов «Фотоэлектрические полупроводниковые приемники и новые методы приема излучения оптического диапазона» УФН 108 601–603 (1972)
  15. Е.А. Хазанов, А.М. Сергеев «Петаваттные лазеры на основе оптических параметрических усилителей: состояние и перспективы» УФН 178 1006–1011 (2008)
  16. B.B. Дюделев, Е.Д. Черотченко и др. «Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ» УФН 194 98–105 (2024)
  17. Ж.И. Алферов, Д. Бимберг и др. «Напряженные субмонослойные гетероструктуры и гетероструктуры с квантовыми точками» УФН 165 224–225 (1995)
  18. Б.А. Волков «Электронные свойства узкощелевых полупроводников типа IV-VI» УФН 173 1013–1015 (2003)
  19. Н.А. Гиппиус, С.Г. Тиходеев «Применение метода матрицы рассеяния для расчёта оптических свойств метаматериалов» УФН 179 1027–1030 (2009)
  20. А.А. Мухин, В.Ю. Иванов и др. «Терагерцовая спектроскопия и магнитоэлектрические свойства мультиферроиков на основе манганитов» УФН 179 904–909 (2009)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2026
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение