Выпуски

 / 

2000

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy

,
Институт физики микроструктур РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603600, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (215 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703
PACS: 79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003n.0338
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/n/
000087162100014
Цитата: Красильник З Ф, Новиков А В "Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy" УФН 170 338–341 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krasil’nik Z F, Novikov A V “Optical properties of strained Si1-xGex and Si1-x-yGexCy heterostructuresPhys. Usp. 43 295–298 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (5) Похожие статьи (20) ↓

  1. Е.Е. Вдовин, Ю.Н. Ханин и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (30 мая 2001 г.)» УФН 171 1365–1367 (2001)
  2. И.Л. Крестников, В.В. Лундин и др. «Гетероструктуры на основе нитридов третьей группы: технология, свойства, светоизлучающие приборы» УФН 171 857–858 (2001)
  3. В.М. Агранович «Экситоны и оптические нелинейности в гибридных органических-неорганических наноструктурах» УФН 169 348–348 (1999)
  4. А.В. Двуреченский, А.И. Якимов «Гетероструктуры Ge/Si с квантовыми точками» УФН 171 1371–1373 (2001)
  5. В.С. Днепровский «Нелинейные оптические свойства полупроводниковых квантовых проводов и точек» УФН 166 432–434 (1996)
  6. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Вертикально-излучающие приборы на основе структур с квантовыми точками» УФН 171 855 (2001)
  7. В.М. Устинов, Н.А. Малеев и др. «Научная сессия Отделения общей физики и астрономии Российской академии наук (31 января 2001 г.)» УФН 171 855–857 (2001)
  8. А.Т. Рахимов «Автоэмиссионные катоды (холодные эмиттеры) на нанокристаллических углеродных и наноалмазных пленках (физика, технология, применение)» УФН 170 996–999 (2000)
  9. А.В. Субашиев «Эффективные эмиттеры поляризованных электронов на основе полупроводниковых наноструктур» УФН 171 1376–1379 (2001)
  10. М.Я. Щелев «Пико-фемто-аттосекундная фотоэлектроника (взгляд через полувековую "лупу времени’)» УФН 182 649–656 (2012)
  11. А.Г. Витухновский «Прогресс в области источников света и дисплеев» УФН 181 1341–1344 (2011)
  12. Н.А. Гиппиус, В.Д. Кулаковский, С.Г. Тиходеев «Влияние перераспределения электрического поля на электронные и оптические свойства наноструктур» УФН 167 558–562 (1997)
  13. В.Ф. Елесин, Ю.В. Копаев «Лазер на «штарковской лестнице» с когерентной электронной подсистемой» УФН 173 776–780 (2003)
  14. Л.Н. Курбатов «Фотоэлектрические полупроводниковые приемники и новые методы приема излучения оптического диапазона» УФН 108 601–603 (1972)
  15. Н.Н. Розанов «Диссипативные оптические солитоны» УФН 170 462–465 (2000)
  16. В.Н. Мурзин, Ю.А. Митягин «Резонансное туннелирование, электрические и оптические явления в длиннопериодных полупроводниковых сверхрешетках» УФН 169 464–468 (1999)
  17. В.И. Симонов «Структурные исследования монокристаллов и корреляции структура-свойства» УФН 167 1013–1016 (1997)
  18. А.А. Мухин, В.Ю. Иванов и др. «Терагерцовая спектроскопия и магнитоэлектрические свойства мультиферроиков на основе манганитов» УФН 179 904–909 (2009)
  19. Ю.Ф. Ельцев, К.С. Перваков и др. «Магнитные и транспортные свойства кристаллов железосодержащих сверхпроводников семейства 122» УФН 184 897–902 (2014)
  20. B.B. Дюделев, Е.Д. Черотченко и др. «Квантово-каскадные лазеры для спектрального диапазона 8 мкм: технология, дизайн и анализ» УФН 194 98–105 (2024)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение