Выпуски

 / 

2000

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy

,
Институт физики микроструктур РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603600, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (215 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703
PACS: 79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003n.0338
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/n/
000087162100014
Цитата: Красильник З Ф, Новиков А В "Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy" УФН 170 338–341 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krasil’nik Z F, Novikov A V “Optical properties of strained Si1-xGex and Si1-x-yGexCy heterostructuresPhys. Usp. 43 295–298 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703

Список литературы (18) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (5) Похожие статьи (20)

  1. Алешкин В Я и др. Письма в ЖЭТФ 67 46 (1998)
  2. Алешкин В Я и др. Изв. РАН Сер. физ. 63 301 (1999)
  3. Востоков Н В и др. ФТП 34 8 (2000)
  4. Collins R T, Fauchet P M, Tischler M A Phys. Today 50 (1) 24 (1997)
  5. Hirschman K D et al. Nature 384 338 (1996)
  6. Coffa S, Franzo G, Priolo F MRS Bulletin 23 (4) 25 (1998)
  7. Andreev A Yu et al. J. Cryst. Growth 201-202 534 (1999)
  8. Zhao X et al. Appl. Phys. Lett. 74 120 (1999)
  9. Cirlin G E et al. Semicond. Sci. Technol. 13 1262 (1998)
  10. Abstreiter G et al. Semicond. Sci. Technol. 11 1521 (1996)
  11. Mo Y-W et al. Phys. Rev. Lett. 65 1020 (1990)
  12. Ross F M, Tersoff J, Tromp R M Phys. Rev. Lett. 80 984 (1998)
  13. Bruner K, Eberl K, Winter W Phys. Rev. Lett. 76 303 (1996)
  14. Van de Walle C Rhys. Rev. B 39 1871 (1989)
  15. Osten H J J. Appl. Phys. 84 2716 (1998)
  16. Cardona M, Cristensen N E Rhys. Rev. B 37 1011 (1988)
  17. Eberl K et al. Appl. Phys. Lett. 60 3033 (1992)
  18. Schmidt O G et al. Thin Solid Films 336 248 (1998)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение