Выпуски

 / 

2000

 / 

Март

  

Конференции и симпозиумы


Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy

,
Институт физики микроструктур РАН, ул. Ульянова 46, Нижний Новгород, 603600, Российская Федерация

Сессия РАН 24.11.1999

Текст pdf (215 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703
PACS: 79.60.Jv, 85.30.Vw, 85.60.−q (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0170.200003n.0338
URL: https://ufn.ru/ru/articles/2000/3/n/
000087162100014
Цитата: Красильник З Ф, Новиков А В "Оптические свойства напряженных гетероструктур на основе Si1-xGex и Si1-x-yGexCy" УФН 170 338–341 (2000)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Krasil’nik Z F, Novikov A V “Optical properties of strained Si1-xGex and Si1-x-yGexCy heterostructuresPhys. Usp. 43 295–298 (2000); DOI: 10.1070/PU2000v043n03ABEH000703

Список литературы (18) Статьи, ссылающиеся на эту (5) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Ponomaryov S S, Yukhymchuk V O et al Nanoscale Res Lett 11 (1) (2016)
  2. Filatov D O, Kruglova M V et al Inorg Mater 44 1157 (2008)
  3. Filatov D O, Kruglova M V et al Bull. Russ. Acad. Sci. Phys. 72 249 (2008)
  4. Filatov D O, Kruglova M V et al Semiconductors 42 (9) (2008)
  5. Deibuk V G, Korolyuk Yu G Semiconductors 35 283 (2001)

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение