Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

Л.Е. Воробьев^а, Д.А. Фирсов^а, В.А. Шалыгин^а, В.Н. Тулупенко^б, Н.Н. Леденцов^в, г, д, П.С. Копьев^в, В.М. Устинов^в, Ю.М. Шерняков^в, Ж.И. Алферов^в
^аСанкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация
^бДонбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина
^вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^гСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
^дVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (485 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
Web of Science

000080487700007
Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН 169 459–464 (1999)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Vorob’ev:1999,
	author = {L. E. Vorob’ev and D. A. Firsov and V. A. Shalygin and V. N. Tulupenko and N. N. Ledentsov and P. S. Kop’ev and V. M. Ustinov and Yu. M. Shernyakov and Zh. I. Alferov},
	title = {The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1999},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {169},
	number = {4},
	pages = {459-464},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/},
	doi = {10.3367/UFNr.0169.199904g.0459}
}

English citation: Vorob’ev L E, Firsov D A, Shalygin V A, Tulupenko V N, Ledentsov N N, Kop’ev P S, Ustinov V M, Shernyakov Yu M, Alferov Zh I “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells” Phys. Usp. 42 391–396 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453