Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
Л.Е. Воробьева,
Д.А. Фирсова,
В.А. Шалыгина,
В.Н. Тулупенкоб,
Н.Н. Леденцовв,г,д,
П.С. Копьевв,
В.М. Устиновв,
Ю.М. Шерняковв,
Ж.И. Алферовв аСанкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация бДонбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация гСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация дVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Сессия РАН 16.12.1998
PACS:01.10.Fv DOI:10.3367/UFNr.0169.199904g.0459 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/ 000080487700007 Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН169 459–464 (1999)
@article{Vorob’ev:1999,author = {L. E. Vorob’ev and D. A. Firsov and V. A. Shalygin and V. N. Tulupenko and N. N. Ledentsov and P. S. Kop’ev and V. M. Ustinov and Yu. M. Shernyakov and Zh. I. Alferov},title = {The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells},publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},year = {1999},journal = {Usp. Fiz. Nauk},volume = {169},number = {4},pages = {459-464},url = {https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/},doi = {10.3367/UFNr.0169.199904g.0459}}