Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами
Л.Е. Воробьева,
Д.А. Фирсова,
В.А. Шалыгина,
В.Н. Тулупенкоб,
Н.Н. Леденцовв,г,д,
П.С. Копьевв,
В.М. Устиновв,
Ю.М. Шерняковв,
Ж.И. Алферовв аСанкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация бДонбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина вФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Российская Федерация гСанкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация дVertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany
Сессия РАН 16.12.1998
PACS:01.10.Fv DOI:10.3367/UFNr.0169.199904g.0459 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/ 000080487700007 Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН169 459–464 (1999)
TY JOUR
TI The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wells
AU Vorob’ev, L. E.
AU Firsov, D. A.
AU Shalygin, V. A.
AU Tulupenko, V. N.
AU Ledentsov, N. N.
AU Kop’ev, P. S.
AU Ustinov, V. M.
AU Shernyakov, Yu. M.
AU Alferov, Zh. I.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1999
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 169
IS 4
SP 459-464
UR https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0169.199904g.0459