Выпуски

 / 

1999

 / 

Апрель

  

Конференции и симпозиумы


Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами

 а,  а,  а,  б,  в, г, д,  в,  в,  в,  в
а Санкт-Петербургский государственный технический университет, радиофизический факультет, Санкт-Петербург, Российская Федерация
б Донбасская государственная машиностроительная академия, ул. Шкадилова 76, Краматорск, 343913, Украина
в Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Политехническая ул. 26, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
г Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН, ул. Хлопина 8, корп. 3, Санкт-Петербург, 194021, Российская Федерация
д Vertically Integrated Systems (VI Systems GmbH), Hardenbergstr 7, Berlin, 10623, Germany

Сессия РАН 16.12.1998

Текст pdf (485 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453
PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0169.199904g.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1999/4/g/
000080487700007
Цитата: Воробьев Л Е, Фирсов Д А, Шалыгин В А, Тулупенко В Н, Леденцов Н Н, Копьев П С, Устинов В М, Шерняков Ю М, Алферов Ж И "Перспективы создания источников излучения среднего ИК диапазона на основе внутризонных межуровневых переходов носителей заряда в инжекционных лазерных гетероструктурах с квантовыми точками и ямами" УФН 169 459–464 (1999)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Vorob’ev L E, Firsov D A, Shalygin V A, Tulupenko V N, Ledentsov N N, Kop’ev P S, Ustinov V M, Shernyakov Yu M, Alferov Zh I “The outlook for the development of radiation sources in the middle-IR range based on the intraband transitions between the energy levels of charge carriers in injection laser heterostructures with quantum dots and wellsPhys. Usp. 42 391–396 (1999); DOI: 10.1070/PU1999v042n04ABEH000453

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение