Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

Текст pdf (359 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
Web of Science

A1995RU84500004
Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structures” Phys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

Список литературы (29) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (30) Похожие статьи (1)

Pankratov O A, Volkov B A Sov. Sci. Rev. A 9 355 (1987)
Волков Б А, Панкратов О А Письма в ЖЭТФ 42 145 (1985); Volkov B A, Pankratov O A JETP Lett. 42 178 (1985)
Pankratov O A, Pakhomov S V, Volkov B A Solid State Commun. 61 93 (1987)
Volkov B A, Pankratov O A Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 43 99 (1986); Volkov B A, Pankratov O A JETP Lett. 43 130 (1986)
Dornhaus R, Nimtz G, Schlicht B Narrow-Gap Semiconductors Springer Tracts in Modern Physics Vol. 98 (Berlin: Springer, 1983)
Lee V C Phys. Rev. B 34 5430 (1986)
Goltsos W C, Nurmikko A V, Partin D L Solid State Commun. 59 183 (1986)
Pankratov O A Phys. Lett. A 121 360 (1987)
Idlis B G, Musakhanov M M, Usmanov M Sh Teor. Mat. Fiz. 101 47 (1994)
Gendenshtein L E, Krive I V Usp. Fiz. Nauk 146 553 (1985); Gendenshtein L E, Krive I V Sov. Phys. Usp. 28 645 (1985)
Raichev O E Fiz. Tekh. Poluprovodn. 23 1226 (1989); Raichev O E Sov. Phys. Semicond. 23 766 (1989)
Kantser V G, Malkova N M Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 54 388 (1991); Kantser V G, Malkova N M JETP Lett. 54 384 (1991)
Pankratov O A, Volkov B A "Landau Level Spectroscopy" Part III: Two-Dimensional Systems (Eds G Landwehr, E I Rashba) (Amsterdam: North-Holland) Ch. 14 (1991) p. 818
Idlis B G, Usmanov M Sh Fiz. Tekh. Polupmvodn. 26 329 (1992); Idlis B G, Usmanov M Sh Sov. Phys. Semicond. 26 186 (1992)
Korenman V, Drew H D Phys. Rev. B 35 6446 (1987)
Agassi D, Korenman V Phys. Rev. B 37 10095 (1988)
Volkov V A, Pinsker T N Fiz. Tverd. Tela (Leningrad) 23 1756 (1981); Volkov V A, Pinsker T N Sov. Phys. Solid State 23 1022 (1981)
Idlis B G, Usmanov M Sh Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 56 268 (1992); Idlis B G, Usmanov M Sh JETP Lett. 56 264 (1992)
Landau L D, Lifshitz E M, Kosevich A M, Pitaevskii L P Theory of Elasticity 3rd Edition (Oxford: Pergamon Press, 1986)
Kosevich A M Dislokatsii v Teorii Uprugosti (Dislocations in the Theory of Elasticity) (Kiev: Naukova Dumka, 1978)
Keldysh L V Zh. Eksp. Teor. Fiz. 45 364 (1963); Keldysh L V Sov. Phys. JETP 18 253 (1964)
Idlis B G, Usmanov M Sh Fiz. Tekh. Polupmvodn. 28 767 (1994); Idlis B G, Usmanov M Sh Semiconductors 28 450 (1994)
Efros Al L, Efros A L Fiz. Tekh. Polupmvodn. 16 1209 (1982); Efros Al L, Efros A L Sov. Phys. Semicond. 16 772 (1982)
Infeld L, Hull T E Rev. Mod. Phys. 23 21 (1951)
Witten E Nucl. Phys. B 188 513 (1981)
Andrianov A A, Borisov N V, Ioffe M V Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 39 78 (1984); Andrianov A A, Borisov N V, Ioffe M V JETP Lett. 39 93 (1984)
Andrianov A A, Borisov N V, Ioffe M V Teor. Mat. Fiz. 61 183 (1984)
Gendenshtein L E Pis'ma Zh. Eksp. Teor. Fiz. 38 299 (1983); Gendenshtein L E Pis'ma JETP Lett. 38 356 (1983)
Sukumar C V J. Phys. A 18 57 (1985)