Выпуски

 / 

1995

 / 

Июль

  

Специальный выпуск


Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

, ,
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

Текст pdf (359 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097
PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
A1995RU84500004
Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах
AU Волков, Б. А.
AU Идлис, Б. Г.
AU Усманов, М. Ш.
PB Успехи физических наук
PY 1995
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 165
IS 7
SP 799-810
UR https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0165.199507e.0799

English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structuresPhys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение