RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1995

 / 

Июль

←  →

Специальный выпуск


Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

, ,
Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

Текст pdf (359 Кб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097
PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
A1995RU84500004
Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structures” Phys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

Список литературы (29) Статьи, ссылающиеся на эту (30) ↓ Похожие статьи (2)

  1. Rusinov I P, Men’shov V N, Chulkov E V Phys. Rev. B 104 (3) (2021)
  2. Galaktionov A V Phys. Rev. B 101 (13) (2020)
  3. Ratnikov P V, Silin A P Успехи физических наук 188 1249 (2018) [Ratnikov P V, Silin A P Phys.-Usp. 61 1139 (2018)]
  4. Galeeva A V, Artamkin A I et al Beilstein J. Nanotechnol. 9 1035 (2018)
  5. Enaldiev V V, Volkov V A Jetp Lett. 104 784 (2016)
  6. Volkov V A, Enaldiev V V J. Exp. Theor. Phys. 122 608 (2016)
  7. Enaldiev V V, Zagorodnev I V, Volkov V A Jetp Lett. 101 89 (2015)
  8. Zagorodnev I V, Devizorova Zh A, Enaldiev V V Phys. Rev. B 92 (19) (2015)
  9. Latyshev Yu I, Orlov A P et al Jetp Lett. 98 214 (2013)
  10. Artemenko S N, Kaladzhyan V O Jetp Lett. 97 82 (2013)
  11. Ratnikov P V, Silin A P J. Exp. Theor. Phys. 114 512 (2012)
  12. Aleshchenko Yu A, Kapaev V V, Kopaev Yu V Semicond. Sci. Technol. 26 014021 (2011)
  13. Aleshchenko Yu A, Kapaev V V, Kopaev Yu V J Russ Laser Res 31 533 (2010)
  14. Vildanov N M, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 36 205 (2009)
  15. Ratnikov P V, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 36 34 (2009)
  16. Лозовик Ю Е, Меркулова С П, Соколик А А Uspekhi Fizicheskikh Nauk 178 757 (2008)
  17. Ratnikov P V Jetp Lett. 87 292 (2008)
  18. Ratnikov P V, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 35 328 (2008)
  19. Ratnikov P V, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 35 27 (2008)
  20. Vildanov N M, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 34 357 (2007)
  21. Ratnikov P V, Silin A P Bull. Lebedev Phys. Inst. 34 122 (2007)
  22. Volkov B A Uspekhi Fizicheskikh Nauk 173 1013 (2003)
  23. Kolesnikov A V, Lipperheide R, Wille U Phys. Rev. B 63 (20) (2001)
  24. Silin A P, Shubenkov S V Phys. Solid State 42 24 (2000)
  25. Silin A P, Shubenkov S V Phys. Solid State 40 1223 (1998)
  26. Kapaev V V, Kopaev Yu V Jetp Lett. 65 202 (1997)
  27. Kantser V G, Malkova N M Phys. Rev. B 56 2004 (1997)
  28. Malkova N M, Kantser V G J. Phys.: Condens. Matter 9 9909 (1997)
  29. Kolesnikov A V, Silin A P J. Phys.: Condens. Matter 9 10929 (1997)
  30. Kantser V G, Malkova N M Phys. Solid State 39 1150 (1997)
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение