Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах

Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

Текст pdf (359 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097

PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/
Web of Science

A1995RU84500004
Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Interface states in inhomogeneous semiconductor structures
A1 Volkov,B.A.
A1 Idlis,B.G.
A1 Usmanov,M.Sh.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1995
FD 10 Jul, 1995
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 165
IS 7
SP 799-810
DO 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799
LK https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/

English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structures” Phys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097