Рассмотрены условия возникновения и спектр локализованных электронных состояний в различных неоднородных структурах из узкощелевых полупроводников с взаимно инвертированными зонами. Рассмотрение основано на применении методов суперсимметрии и факторизации к решению уравнения типа Дирака с неоднородными внешними потенциалами для одномерных, двумерных и трехмерных систем.

PACS: 73.20.Dx, 73.40.Lq, 71.28.+d (все) DOI: 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/ A1995RU84500004 Цитата: Волков Б А, Идлис Б Г, Усманов М Ш "Приграничные состояния в неоднородных полупроводниковых структурах" УФН 165 799–810 (1995) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Interface states in inhomogeneous semiconductor structures AU Volkov B A FAU Volkov BA AU Idlis B G FAU Idlis BG AU Usmanov M Sh FAU Usmanov MS DP 10 Jul, 1995 TA Usp. Fiz. Nauk VI 165 IP 7 PG 799-810 RX 10.3367/UFNr.0165.199507e.0799 URL https://ufn.ru/ru/articles/1995/7/e/ SO Usp. Fiz. Nauk 1995 Jul 10;165(7):799-810 English citation: Volkov B A, Idlis B G, Usmanov M Sh “Interface states in inhomogeneous semiconductor structures” Phys. Usp. 38 761–771 (1995); DOI: 10.1070/PU1995v038n07ABEH000097