Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой в условиях высокого давления (АПВД), рассматриваются как сравнительно новый класс физических объектов, перспективный с точки зрения выяснения механизмов твердофазной аморфизации, проверки моделей эффективной среды, масштабной теории и теории протекания. Причины возникновения многокомпонентных систем, индукцированная аморфизацией сверхпроводимость, область стабильности метастабильных фаз и влияние легирования на физические свойства тетраэдрических аморфных полупроводников исследуются с привлечением широкого набора экспериментальных методов, позволяющих установить взаимосвязь и последовательность фазовых превращений в АПВД при изменении физических параметров.

DOI: 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195 URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/ A1994NB28300003 Цитата: Демишев С В, Косичкин Ю В, Случанко Н Е, Ляпин А Г "Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением" УФН 164 195–229 (1994) BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS) MedlineRefWorks Русский English PT Journal Article TI Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressure AU Demishev S V FAU Demishev SV AU Kosichkin Yu V FAU Kosichkin YV AU Sluchanko N E FAU Sluchanko NE AU Lyapin A G FAU Lyapin AG DP 10 Feb, 1994 TA Usp. Fiz. Nauk VI 164 IP 2 PG 195-229 RX 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195 URL https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/ SO Usp. Fiz. Nauk 1994 Feb 10;164(2):195-229 English citation: Demishev S V, Kosichkin Yu V, Sluchanko N E, Lyapin A G “Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressure” Phys. Usp. 37 185–217 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008