Выпуски

 / 

1994

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением

 а,  а,  а,  б
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация
б Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Российская Федерация

Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой в условиях высокого давления (АПВД), рассматриваются как сравнительно новый класс физических объектов, перспективный с точки зрения выяснения механизмов твердофазной аморфизации, проверки моделей эффективной среды, масштабной теории и теории протекания. Причины возникновения многокомпонентных систем, индукцированная аморфизацией сверхпроводимость, область стабильности метастабильных фаз и влияние легирования на физические свойства тетраэдрических аморфных полупроводников исследуются с привлечением широкого набора экспериментальных методов, позволяющих установить взаимосвязь и последовательность фазовых превращений в АПВД при изменении физических параметров.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
Цитата: Демишев С В, Косичкин Ю В, Случанко Н Е, Ляпин А Г "Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением" УФН 164 195–229 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Demishev S V, Kosichkin Yu V, Sluchanko N E, Lyapin A G “Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressurePhys. Usp. 37 185–217 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008

Список литературы (104) Статьи, ссылающиеся на эту (10) ↓ Похожие статьи (20)

  1. Demishev S V, Pronin A A et al Jetp Lett. 78 511 (2003)
  2. Elliott S R digital Encyclopedia of Applied Physics (2003)
  3. Ponyatovskii E G, Abrosimova G E et al Phys. Solid State 44 852 (2002)
  4. Demishev S V, Pronin A et al J. Exp. Theor. Phys. 95 123 (2002)
  5. Ischenko T V, Demishev S V, Gust W Computational Materials Science 17 331 (2000)
  6. Sluchanko N E, Volkov A A et al J. Exp. Theor. Phys. 88 533 (1999)
  7. Demishev S V, Ischenko T V et al J. Phys.: Condens. Matter 9 9199 (1997)
  8. Demishev S V, Pronin A A et al Jetp Lett. 65 342 (1997)
  9. Fokin A G Phys.-Usp. 39 1009 (1996)
  10. Sharma S M, Sikka S K Progress in Materials Science 40 1 (1996)

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение