Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением

С.В. Демишев^а, Ю.В. Косичкин^а, Н.Е. Случанко^а, А.Г. Ляпин^б
^аИнститут общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация
^бИнститут физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук, Калужское шоссе 14, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация

Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой в условиях высокого давления (АПВД), рассматриваются как сравнительно новый класс физических объектов, перспективный с точки зрения выяснения механизмов твердофазной аморфизации, проверки моделей эффективной среды, масштабной теории и теории протекания. Причины возникновения многокомпонентных систем, индукцированная аморфизацией сверхпроводимость, область стабильности метастабильных фаз и влияние легирования на физические свойства тетраэдрических аморфных полупроводников исследуются с привлечением широкого набора экспериментальных методов, позволяющих установить взаимосвязь и последовательность фазовых превращений в АПВД при изменении физических параметров.

Текст pdf (4,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008

DOI: 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
Web of Science

A1994NB28300003
Цитата: Демишев С В, Косичкин Ю В, Случанко Н Е, Ляпин А Г "Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением" УФН 164 195–229 (1994)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением
AU Демишев, С. В.
AU Косичкин, Ю. В.
AU Случанко, Н. Е.
AU Ляпин, А. Г.
PB Успехи физических наук
PY 1994
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 164
IS 2
SP 195-229
UR https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0164.199402c.0195

English citation: Demishev S V, Kosichkin Yu V, Sluchanko N E, Lyapin A G “Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressure” Phys. Usp. 37 185–217 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008