Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением

С.В. Демишев^а, Ю.В. Косичкин^а, Н.Е. Случанко^а, А.Г. Ляпин^б
^аИнститут общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119991, Российская Федерация
^бИнститут физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина Российской академии наук, Калужское шоссе 14, Троицк, Москва, 108840, Российская Федерация

Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой в условиях высокого давления (АПВД), рассматриваются как сравнительно новый класс физических объектов, перспективный с точки зрения выяснения механизмов твердофазной аморфизации, проверки моделей эффективной среды, масштабной теории и теории протекания. Причины возникновения многокомпонентных систем, индукцированная аморфизацией сверхпроводимость, область стабильности метастабильных фаз и влияние легирования на физические свойства тетраэдрических аморфных полупроводников исследуются с привлечением широкого набора экспериментальных методов, позволяющих установить взаимосвязь и последовательность фазовых превращений в АПВД при изменении физических параметров.

Текст pdf (4,3 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008

DOI: 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
Web of Science

A1994NB28300003
Цитата: Демишев С В, Косичкин Ю В, Случанко Н Е, Ляпин А Г "Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением" УФН 164 195–229 (1994)

BibTex

BibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

%0 Journal Article
%T Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением
%A С. В. Демишев
%A Ю. В. Косичкин
%A Н. Е. Случанко
%A А. Г. Ляпин
%I Успехи физических наук
%D 1994
%J Усп. физ. наук
%V 164
%N 2
%P 195-229
%U https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
%U https://doi.org/10.3367/UFNr.0164.199402c.0195

English citation: Demishev S V, Kosichkin Yu V, Sluchanko N E, Lyapin A G “Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressure” Phys. Usp. 37 185–217 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008