Выпуски

 / 

1994

 / 

Февраль

  

Обзоры актуальных проблем


Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением

 а,  а,  а,  б
а Институт общей физики им. А.М. Прохорова Российской академии наук, ул. Вавилова 38, Москва, 119942, Российская Федерация
б Институт физики высоких давлений им. Л.Ф. Верещагина РАН, Троицк, Москва, Российская Федерация

Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой в условиях высокого давления (АПВД), рассматриваются как сравнительно новый класс физических объектов, перспективный с точки зрения выяснения механизмов твердофазной аморфизации, проверки моделей эффективной среды, масштабной теории и теории протекания. Причины возникновения многокомпонентных систем, индукцированная аморфизацией сверхпроводимость, область стабильности метастабильных фаз и влияние легирования на физические свойства тетраэдрических аморфных полупроводников исследуются с привлечением широкого набора экспериментальных методов, позволяющих установить взаимосвязь и последовательность фазовых превращений в АПВД при изменении физических параметров.

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
DOI: 10.3367/UFNr.0164.199402c.0195
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1994/2/c/
Цитата: Демишев С В, Косичкин Ю В, Случанко Н Е, Ляпин А Г "Аморфные полупроводники, синтезированные закалкой под давлением" УФН 164 195–229 (1994)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Demishev S V, Kosichkin Yu V, Sluchanko N E, Lyapin A G “Amorphous semiconductors prepared by quenching under high pressurePhys. Usp. 37 185–217 (1994); DOI: 10.1070/PU1994v037n02ABEH000008

© Успехи физических наук, 1918–2018
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение