Выпуски

 / 

1986

 / 

Январь

  

К 25-летию создания лазера


Полупроводниковые лазеры

 а, ,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Полупроводниковые лазеры
A1 Басов,Н.Г.
A1 Елисеев,П.Г.
A1 Попов,Ю.М.
PB Успехи физических наук
PY 1986
FD 10 Jan, 1986
JF Успехи физических наук
JO Усп. физ. наук
VO 148
IS 1
SP 35-53
DO 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
LK https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasersSov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение