Выпуски

 / 

1986

 / 

Январь

  

К 25-летию создания лазера


Полупроводниковые лазеры

 а, ,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)
BibTexBibNote ® (generic) BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
TY JOUR
TI Полупроводниковые лазеры
AU Басов, Н. Г.
AU Елисеев, П. Г.
AU Попов, Ю. М.
PB Успехи физических наук
PY 1986
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 148
IS 1
SP 35-53
UR https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0148.198601c.0035

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasersSov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение