Полупроводниковые лазеры

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Полупроводниковые лазеры
AU Басов, Н. Г.
AU Елисеев, П. Г.
AU Попов, Ю. М.
PB Успехи физических наук
PY 1986
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 148
IS 1
SP 35-53
UR https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0148.198601c.0035

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasers” Sov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078