Выпуски

 / 

1986

 / 

Январь

  

К 25-летию создания лазера


Полупроводниковые лазеры

 а, ,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2 Мб)
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline RefWorks
Русский English
RT Journal
T1 Semiconductor lasers
A1 Basov,N.G.
A1 Eliseev,P.G.
A1 Popov,Yu.M.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1986
FD 10 Jan, 1986
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 148
IS 1
SP 35-53
DO 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
LK https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasersSov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

© Успехи физических наук, 1918–2022
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение