Полупроводниковые лазеры

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)Medline

RefWorks

Русский

English

RT Journal
T1 Semiconductor lasers
A1 Basov,N.G.
A1 Eliseev,P.G.
A1 Popov,Yu.M.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1986
FD 10 Jan, 1986
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 148
IS 1
SP 35-53
DO 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
LK https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasers” Sov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078