Выпуски

 / 

1986

 / 

Январь

  

К 25-летию создания лазера


Полупроводниковые лазеры

 а, ,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks
Русский English
@article{Basov:1986,
	author = {Н. Г. Басов and П. Г. Елисеев and Ю. М. Попов},
	title = {Полупроводниковые лазеры},
	publisher = {Успехи физических наук},
	year = {1986},
	journal = {Усп. физ. наук},
	volume = {148},
	number = {1},
	pages = {35-53},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0148.198601c.0035}
}

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasersSov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение