RSS-ленты
РусскийEnglish
Выпуск 12, 2024
Том год страница
Выпуски Авторы PACS Подписчикам Для авторов

Выпуски

 / 

1986

 / 

Январь

←  →

К 25-летию создания лазера


Полупроводниковые лазеры

 а, ,  а
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasers” Sov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

Список литературы (50) ↓ Статьи, ссылающиеся на эту (9) Похожие статьи (16)

  1. Басов Н.Г., Вул Б.М., Попов Ю.М. ЖЭТФ 37 587 (1959)
  2. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. ЖЭТФ 40 1879 (1961)
  3. Басов Н.Г., Крохин О.Н., Попов Ю.М. Вестн. АН СССР (3) 61 (1961)
  4. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Девятков А.Г. ДАН СССР 155 783 (1964)
  5. Басов Н.Г., Грасюк А.З., Катулин В.А. ДАН СССР 161 1306 (1965)
  6. Наследов Д.Н., Рогачев А.А., Рывкин С.М., Царенков Б.В. ФТП 4 1062 (1962)
  7. Hall R N, Fenner G E, Kingsley J D, Soltys T J, Carlson R O Phys. Rev. Lett. 9 366 (1962)
  8. Nathan M I, Dumke W D, Burns G, Dill F H, Lasher Q Q Appl. Phys. Lett. 1 62 (1962)
  9. Quist T M, Rediker R H, Keyes R J, Krag W E, Lax B, McWhorter A L, Zeiger H V Appl. Phys. Lett. 1 91 (1962)
  10. Басов Н.Г., Багаев В.С. и др ДАН СССР 150 275 (1963)
  11. Алферов Ж И, Андреев ВМ, Гарбузов Д З и др. ФТП 4 1825 (1970)
  12. Богатов А.П., Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г. и др. Квант. электрон. 1 2294 (1974)
  13. Southgate P D Appl. Phys. Lett. 12 61 (1968)
  14. Nicoll F H Appl. Phys. Lett. 23 465 (1973)
  15. Басов Н.Г., Молчанов А.Г., Насибов А.С. и др. ЖЭТФ 70 1751 (1976)
  16. Kawamura Y, Asahi H, Nagai H, Ikegami T Electron. Lett. 19 163 (1983)
  17. Аарик Я., Бергман Я, Вирро А, Лююк П, Розенталь А, Саммельсельг В, Фриденталь Я Изв. АН ЭССР. Физ.-мат. сер. (1983)
  18. Долгинов Л.М., Дружинина Л.В., Елисеев П.Г., Мильвидский М.Г., Свердлов Б.Н. Квант, электрон. 3 465 (1976)
  19. Курбатов Л.Н., Бритов А.Д., Караваев С.М., Сиваченко С.Д., Максимовский С.Н., Овчинников Н.И., Рзаев М.М., Старик П.М. Письма ЖТФ 9 424 (1983)
  20. Елисеев П Г Квантовая электроника. Вып. 3 (М.: Сов. радио, 1971) с. 120
  21. Tsang W T, Logan R A, Ditzenberger J A Electron. Lett. 18 845 (1982)
  22. Tsang W T Appl. Phys. Lett. 39 786 (1981)
  23. Долгинов Л.М., Дракин А.Е., Елисеев П.Г., Свердлов Б.Н., Скрипкин В.А., Шевченко Е.Г. Квант, электрон. 11 645 (1984)
  24. Drakin A E, Eliseev P G, Sverdlov B N, Dolginov L M, Shevchenko E G Electron. Lett. 20 559 (1984)
  25. Дракин А.Е., Елисеев П Г Квант. электрон. 11 178 (1984)
  26. Dapkus P D, Coleman J J, Holonyak N, Jr Intern. Electronic Devices Meeting (Washington, D.C., Techn. Digest, N.Y., 1981) p. 436
  27. ФТТ 4 2265 (1962)
  28. Богатов А.П., Елисеев П.Г. Квант. электрон. 10 865 (1983)
  29. Bogatov A P, Eliseev P G, Sverdlov B N IEEE J. Quantum Electron. QE-11 510 (1975)
  30. Богатов А. П., Елисеев П. Г., Охотников О. Г., Рахвальский М. П., Харетдинов К. А. Квант. электрон. 10 1851 (1983)
  31. Басов Н.Г., Беленов Е.М., Летохов В.С. ФТТ 7 337 (1965)
  32. Бахерт Х.Ю., Елисеев П.Г., Манько М.А., Рааб З. ЖПС 13 232 (1970)
  33. Scifres D R, Streifer W, Burnham R D et al. Appl. Phys. Lett. 42 495 (1983)
  34. Scrifes D R, Sprague R A, Streifer W, Burnham R D Appl. Phys. Lett. 41 1121 (1982)
  35. Eliseev P G J. Luminescence 7 338 (1973)
  36. Bogatov A P, Eliseev P G et al Proc. IEEE 124 252 (1982), Part 1
  37. Богатов А.П., Елисеев П.Г., Микаэлян Г.Т., Свердлов Б.Н. Квант. электрон. 7 2487 (1980)
  38. Okuda H, Soda H, Moriki K, Motegi Y, Iga K Jpn. J. Appl. Phys. 20 563 (1981)
  39. Bezotosny V V, Eliseev P G et al Proc. IEEE 122 199 (1980), Part 1
  40. Bachert H, Eliseev P G IEEE J. Quantum Electron. 11 507 (1975)
  41. Богатов А.П., Елисеев П.Г., Манько М.А., Чан Минь Тхай Кр. сообщ. физ. ФИАН СССР (9) 60 (1971)
  42. Елисеев П.Г., Лавров В.Н., Морозов В.Н. Письма ЖТФ 4 1160 (1978)
  43. Баженов В.Ю., Богатов А.П., Елисеев П.Г., Охотников О.Г., Пак Г.Т., Рахвальский М.П., ​​Соскин М.С., Тараненко В.Б., Харетдинов К.А. Квант. электрон. 8 853 (1981)
  44. Баженко В.Ю., Богатов А.П., Гуров Ю.В., Елисеев П.Г., Охотников О.Г., Пак Г.Т., Рахвальский М.П., ​​Соскин С.М., Тараненко В.Б., Харетдинов К.А. Квант. электрон. 7 2510 (1980)
  45. Безотосный В.В., Дураев В.П., Елисеев П.Г., Неделин Е.Т., Свердлов Б.Н., Шепекина Г.В., Шишкин И.Н. Квант, электрон. 8 1985 (1981)
  46. Насибов А.С., Козловский В.Н., Папуша В.П. Радиотехн. и электрон. 18 2151 (1973)
  47. Басов Н.Г., Богданкевич О.В., Насибов А.С., Козловский В.Н., Папуша В.П., Печенов А.Н. Квант, электрон. 1 2521 (1974)
  48. Козловский В.Н., Насибов А.С., Попов Ю.М., Резников А.В. Письма ЖТФ 6 463 (1980)
  49. Насибов А.С., Печенов А.Н., Попов Ю.М., Решетов В.И. Квант, электрон. 7 1058 (1980)
  50. Басов Н.Г., Попов Ю.М. Наука и человечество (М.: Знание, 1982) с. 269
© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение