Полупроводниковые лазеры

СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы

Текст pdf (2 Мб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078

PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0148.198601c.0035
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/
Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986)

BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

@article{Basov:1986,
	author = {N. G. Basov and P. G. Eliseev and Yu. M. Popov},
	title = {Semiconductor lasers},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1986},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {148},
	number = {1},
	pages = {35-53},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/},
	doi = {10.3367/UFNr.0148.198601c.0035}
}

English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasers” Sov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); DOI: 10.1070/PU1986v029n01ABEH003078