 |
RSS-ленты |
|
|||||
| Выпуск 2, 2019 |
|
||||||
|
|
|
||||||
Выпуски/1986/Январь |
← → |
| К 25-летию создания лазера |
Полупроводниковые лазеры
а Физический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация
СОДЕРЖАНИЕ
1. Введение
2. Достижения и проблемы физики инжекционных лазеров
2.1. Новые гетероструктуры
2.2. Лазерные гетероструктуры с ультратонким активным слоем
2.3. Квантово-размерные эффекты
2.4. Увеличение мощности излучения инжекционных лазеров
3. Полупроводниковые лазеры с электронной накачкой
4. Заключение
Список литературы
|
PACS: 42.55.Px, 42.60.By, 42.70.Hj, 42.70.Nq ()
DOI: URL: https://ufn.ru/ru/articles/1986/1/c/ Цитата: Басов Н Г, Елисеев П Г, Попов Ю М "Полупроводниковые лазеры" УФН 148 35–53 (1986) English citation: Basov N G, Eliseev P G, Popov Yu M “Semiconductor lasers” Sov. Phys. Usp. 29 20–30 (1986); |
|
© Успехи физических наук, 1918–2019 Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение |