Выпуски

 / 

1985

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Полупроводниковые сверхрешетки

Рассматриваются свойства полупроводниковых сверхрешеток — твердотельных структур, в которых, помимо периодического потенциала кристаллической решетки, имеется дополнительный одномерный потенциал, период которого существенно превышает постоянную решетки. Наличие потенциала сверхрешетки существенно меняет энергетический спектр, благодаря чему сверхрешетки обладают рядом интересных свойств, которые отсутствуют у обычных полупроводников. Сверхрешетки представляют уникальную возможность практически произвольным образом изменять их зонную структуру. Особенности люминесценции сверхрешеток (перестраиваемость излучаемых длин волн, экситонный характер излучения вплоть до комнатных температур, сильное подавление примесного захвата, фемтосекундная кинетика и др.) используются для создания нового поколения светоизлучающих приборов. Акустические свойства сверхрешеток характеризуются наличием селективного отражения фононов. Полупроводниковые сверхрешетки характеризуются существенно нелинейными транспортными свойствами, обусловленными наличием в их энергетическом спектре очень узких минизон. Ил. 16. Библиогр. ссылок 204 (212 назв.).

Текст pdf (2,6 Мб)
English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1985v028n11ABEH003967
PACS: 73.21.Cd, 78.67.Pt, 62.65.+k, 68.65.Cd, 72.20.My, 78.60.−b (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0147.198511c.0485
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/11/c/
Цитата: Силин А П "Полупроводниковые сверхрешетки" УФН 147 485–521 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Silin A P “Semiconductor superlatticesSov. Phys. Usp. 28 972–993 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n11ABEH003967

Статьи, ссылающиеся на эту (65) Похожие статьи (20) ↓

  1. М.Ю. Каган, К.И. Кугель «Неоднородные зарядовые состояния и фазовое расслоение в манганитах» УФН 171 577–596 (2001)
  2. П.В. Ратников, А.П. Силин «Двумерная графеновая электроника: современное состояние и перспективы» УФН 188 1249–1287 (2018)
  3. И.И. Ляпилин, И.М. Цидильковский «Узкощелевые полумагнитные полупроводники» УФН 146 35–72 (1985)
  4. П.Б. Сорокин, Л.А. Чернозатонский «Полупроводниковые наноструктуры на основе графена» УФН 183 113–132 (2013)
  5. В.И. Белиничер, Б.И. Стурман «Фотогальванический эффект в средах без центра симметрии» УФН 130 415–458 (1980)
  6. А.П. Пятаков, А.К. Звездин «Магнитоэлектрические материалы и мультиферроики» УФН 182 593–620 (2012)
  7. М.Б. Гитис «Беспорядок и порядок в длинноволновой высокотемпературной акустике (II): моноатомные жидкости» УФН 162 (11) 111–181 (1992)
  8. С.П. Андреев «Спектры и кинетика систем с магнитопримесными состояниями при конечном радиусе потенциала» УФН 143 213–238 (1984)
  9. И.М. Цидильковский «Кристаллизация трехмерного электронного газа» УФН 152 583–622 (1987)
  10. В.В. Климов «Управление излучением элементарных квантовых систем с помощью метаматериалов и нанометачастиц» УФН 191 1044–1076 (2021)
  11. Л.М. Блинов «Лэнгмюровские пленки» УФН 155 443–480 (1988)
  12. В.И. Павлов, А.И. Сухоруков «Переходное излучение акустических волн» УФН 147 83–115 (1985)
  13. Я.Б. Зельдович, В.С. Попов «Электронная структура сверхтяжелых атомов» УФН 105 403–440 (1971)
  14. Л.М. Лямшев «Радиационная акустика» УФН 162 (4) 43–94 (1992)
  15. Р.В. Парфеньев, Г.И. Харус и др. «Магнитофононный резонанс в полупроводниках» УФН 112 3–36 (1974)
  16. М.И. Каганов, В.Я. Кравченко, В.Д. Нацик «Электронное торможение дислокаций в металлах» УФН 111 655–682 (1973)
  17. В.И. Пустовойт «Взаимодействие электронных потоков с упругими волнами решетки» УФН 97 257–306 (1969)
  18. А.И. Буздин, Л.Н. Булаевский «Антиферромагнитные сверхпроводники» УФН 149 45–67 (1986)
  19. М.В. Рыбин, М.Ф. Лимонов «Резонансные эффекты в фотонных кристаллах и метаматериалах (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)» УФН 189 881–898 (2019)
  20. В.В. Климов «Оптические нанорезонаторы» УФН 193 279–304 (2023)

Список формируется автоматически.

© Успехи физических наук, 1918–2024
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение