Выпуски

 / 

1985

 / 

Ноябрь

  

Обзоры актуальных проблем


Диссоциативное прилипание электрона к молекуле

 а,  б
а Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. акад. Курчатова 1, Москва, 123182, Российская Федерация
б Объединенный институт высоких температур РАН, ул. Ижорская 13/19, Москва, 127412, Российская Федерация

Обзор современного состояния исследований процесса диссоциативного прилипания электрона к молекуле, являющегося одним из основных механизмов образования отрицательных ионов в плазме электроотрицательных газов. На основе полуклассического модельного подхода анализируются основные характеристики процесса и их зависимость от параметров молекулы и энергии электрона. Рассмотрены важнейшие экспериментальные методы получения информации о характеристиках излучаемого процесса. Представлена информация подобного рода, полученная в последние годы. Анализируются ситуации, в которых процесс диссоциативного прилипания оказывает существенное влияние на свойства конкретных систем, содержащих низкотемпературную плазму. Среди этих систем — газовые лазеры, оптогальванические устройства, разряд высокого давления, газовые диэлектрики. Табл. 5. Ил. 16. Библиогр. ссылок 117 (126 назв.).

Текст: pdf
Войдите или зарегистрируйтесь чтобы получить доступ к полным текстам статей.
PACS: 34.80.Ht, 31.15.Gy (все)
DOI: 10.3367/UFNr.0147.198511b.0459
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1985/11/b/
Цитата: Елецкий А В, Смирнов Б М "Диссоциативное прилипание электрона к молекуле" УФН 147 459–484 (1985)
BibTexBibNote ® (generic)BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

English citation: Eletskii A V, Smirnov B M “Dissociative attachment of an electron to a moleculeSov. Phys. Usp. 28 956–971 (1985); DOI: 10.1070/PU1985v028n11ABEH003966

© Успехи физических наук, 1918–2019
Электронная почта: ufn@ufn.ru Телефоны и адреса редакции О журнале Пользовательское соглашение