Диссоциативное прилипание электрона к молекуле
А.В. Елецкий а,
Б.М. Смирнов б
а Национальный исследовательский центр «Курчатовский институт», пл. акад. Курчатова 1, Москва, 123182, Российская Федерация
б Объединенный институт высоких температур РАН, ул. Ижорская 13/19, Москва, 127412, Российская Федерация
Обзор современного состояния исследований процесса диссоциативного прилипания электрона к молекуле, являющегося одним из основных механизмов образования отрицательных ионов
в плазме электроотрицательных газов. На основе полуклассического модельного подхода
анализируются основные характеристики процесса и их зависимость от параметров
молекулы и энергии электрона. Рассмотрены важнейшие экспериментальные методы
получения информации о характеристиках излучаемого процесса. Представлена информация подобного рода, полученная в последние годы. Анализируются ситуации, в которых
процесс диссоциативного прилипания оказывает существенное влияние на свойства
конкретных систем, содержащих низкотемпературную плазму. Среди этих систем — газовые лазеры, оптогальванические устройства, разряд высокого давления, газовые диэлектрики. Табл. 5. Ил. 16. Библиогр. ссылок 117 (126 назв.).
|