Дан обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных рекомбинационной фотолюминесценции свободных горячих электронов в полупроводниках (главным образом GaAs). Обсуждаются поляризационные характеристики, отражающие, в частности, эффект выстраивания электропов по импульсам линейно-поляризованным светом и влияние на эти характеристики гофрировки изоэнергетических поверхностей в валентной зоне. Спектральная зависимость линейной поляризации рассматривается в связи с различными механизмами энергетической релаксации горячих электронов. Рассмотрены эффекты деполяризации горячей фотолюминесценции в магнитном поле и методика определения времен энергетической релаксации, а также времен междолинпых переходов из анализа кривых деполяризации. Из спектра горячей фотолюминесценции получена функция распределения горячих электронов. Рассмотрены свойства рекомбинационной люминесценции горячих дырок, возникающих при освещении в спин-отщепленной зоне. Табл. 4, илл. 31, библиогр. ссылок 61 (69 назв.).

RT Journal
T1 Spectrum and polarization of hot-electron photoluminescence in semiconductors
A1 Zakharchenya,B.P.
A1 Mirlin,D.N.
A1 Perel’,V.I.
A1 Reshina,I.I.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1982
FD 10 Mar, 1982
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JO Usp. Fiz. Nauk
VO 136
IS 3
SP 459-499
DO 10.3367/UFNr.0136.198203d.0459
LK https://ufn.ru/ru/articles/1982/3/d/