Дан обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных рекомбинационной фотолюминесценции свободных горячих электронов в полупроводниках (главным образом GaAs). Обсуждаются поляризационные характеристики, отражающие, в частности, эффект выстраивания электропов по импульсам линейно-поляризованным светом и влияние на эти характеристики гофрировки изоэнергетических поверхностей в валентной зоне. Спектральная зависимость линейной поляризации рассматривается в связи с различными механизмами энергетической релаксации горячих электронов. Рассмотрены эффекты деполяризации горячей фотолюминесценции в магнитном поле и методика определения времен энергетической релаксации, а также времен междолинпых переходов из анализа кривых деполяризации. Из спектра горячей фотолюминесценции получена функция распределения горячих электронов. Рассмотрены свойства рекомбинационной люминесценции горячих дырок, возникающих при освещении в спин-отщепленной зоне. Табл. 4, илл. 31, библиогр. ссылок 61 (69 назв.).

PT Journal Article
TI Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках
AU Захарченя Б П
FAU Захарченя БП
AU Мирлин Д Н
FAU Мирлин ДН
AU Перель В И
FAU Перель ВИ
AU Решина И И
FAU Решина ИИ
DP 10 Mar, 1982
TA Усп. физ. наук
VI 136
IP 3
PG 459-499
RX 10.3367/UFNr.0136.198203d.0459
URL https://ufn.ru/ru/articles/1982/3/d/
SO Усп. физ. наук 1982 Mar 10;136(3):459-499