Дан обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных рекомбинационной фотолюминесценции свободных горячих электронов в полупроводниках (главным образом GaAs). Обсуждаются поляризационные характеристики, отражающие, в частности, эффект выстраивания электропов по импульсам линейно-поляризованным светом и влияние на эти характеристики гофрировки изоэнергетических поверхностей в валентной зоне. Спектральная зависимость линейной поляризации рассматривается в связи с различными механизмами энергетической релаксации горячих электронов. Рассмотрены эффекты деполяризации горячей фотолюминесценции в магнитном поле и методика определения времен энергетической релаксации, а также времен междолинпых переходов из анализа кривых деполяризации. Из спектра горячей фотолюминесценции получена функция распределения горячих электронов. Рассмотрены свойства рекомбинационной люминесценции горячих дырок, возникающих при освещении в спин-отщепленной зоне. Табл. 4, илл. 31, библиогр. ссылок 61 (69 назв.).

TY JOUR
TI Спектр и поляризация фотолюминесценции горячих электронов в полупроводниках
AU Захарченя, Б. П.
AU Мирлин, Д. Н.
AU Перель, В. И.
AU Решина, И. И.
PB Успехи физических наук
PY 1982
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 136
IS 3
SP 459-499
UR https://ufn.ru/ru/articles/1982/3/d/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0136.198203d.0459