Дан обзор экспериментальных и теоретических работ, посвященных рекомбинационной фотолюминесценции свободных горячих электронов в полупроводниках (главным образом GaAs). Обсуждаются поляризационные характеристики, отражающие, в частности, эффект выстраивания электропов по импульсам линейно-поляризованным светом и влияние на эти характеристики гофрировки изоэнергетических поверхностей в валентной зоне. Спектральная зависимость линейной поляризации рассматривается в связи с различными механизмами энергетической релаксации горячих электронов. Рассмотрены эффекты деполяризации горячей фотолюминесценции в магнитном поле и методика определения времен энергетической релаксации, а также времен междолинпых переходов из анализа кривых деполяризации. Из спектра горячей фотолюминесценции получена функция распределения горячих электронов. Рассмотрены свойства рекомбинационной люминесценции горячих дырок, возникающих при освещении в спин-отщепленной зоне. Табл. 4, илл. 31, библиогр. ссылок 61 (69 назв.).

@article{Zakharchenya:1982,
	author = {B. P. Zakharchenya and D. N. Mirlin and V. I. Perel’ and I. I. Reshina},
	title = {Spectrum and polarization of hot-electron photoluminescence in semiconductors},
	publisher = {Uspekhi Fizicheskikh Nauk},
	year = {1982},
	journal = {Usp. Fiz. Nauk},
	volume = {136},
	number = {3},
	pages = {459-499},
	url = {https://ufn.ru/ru/articles/1982/3/d/},
	doi = {10.3367/UFNr.0136.198203d.0459}
}