Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники

Н.Г. Басов^а, А.Б. Кравченко, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
Цитата: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э "Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники" УФН 134 748–750 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники
AU Басов, Н. Г.
AU Кравченко, А. Б.
AU Плотников, А. Ф.
AU Шубин, В. Э.
PB Успехи физических наук
PY 1981
JO Успехи физических наук
JF Успехи физических наук
JA Усп. физ. наук
VL 134
IS 8
SP 748-750
UR https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0134.198108l.0748

English citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors” Sov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855