Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл - диэлектрик - полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники

Н.Г. Басов^а, А.Б. Кравченко, А.Ф. Плотников, В.Э. Шубин
^аФизический институт им. П.Н. Лебедева РАН, Ленинский проспект 53, Москва, 119991, Российская Федерация

Научная сессия Отделения общей физики и астрономии и Отделения ядерной физики академии наук СССР (25 — 26 февраля 1981 г.)

Текст pdf (970 Кб)

Скачивая файл я соглашаюсь с условиями использования.

English fulltext is available at DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855

PACS: 01.10.Fv
DOI: 10.3367/UFNr.0134.198108l.0748
URL: https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
Цитата: Басов Н Г, Кравченко А Б, Плотников А Ф, Шубин В Э "Самостабилизированный лавинный процесс в структуре металл — диэлектрик — полупроводник (МДП). Лавинные МДП-фотоприемники" УФН 134 748–750 (1981)

BibTexBibNote ® (generic)

BibNote ® (RIS)MedlineRefWorks

Русский

English

TY JOUR
TI Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors
AU Basov, N. G.
AU Kravchenko, A. B.
AU Plotnikov, A. F.
AU Shubin, V. É.
PB Uspekhi Fizicheskikh Nauk
PY 1981
JO Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JF Uspekhi Fizicheskikh Nauk
JA Usp. Fiz. Nauk
VL 134
IS 8
SP 748-750
UR https://ufn.ru/ru/articles/1981/8/l/
ER https://doi.org/10.3367/UFNr.0134.198108l.0748

English citation: Basov N G, Kravchenko A B, Plotnikov A F, Shubin V É “Self-stabilized avalanche process in a metal-dielectric-semiconductor (MDS) structure. Avalanche MDS photodetectors” Sov. Phys. Usp. 24 728–729 (1981); DOI: 10.1070/PU1981v024n08ABEH004855